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蔡司Crossbeam将场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)镜筒的强大成像和分析性能与新-代聚焦离子束( FIB)的优异加工能力相结合
无论是切割、成像或进行3D分析，Crossbeam 系列都能极大地提升您的应用体验。借助Gemini电子光学系统，您可从高分辨率扫描电子显微镜( SEM)图像中获取真实的样品信息。lon-sculptor FIB镜筒整体上引入了全新的FIB加工方法。这种方法能够减少样品损伤，提升样品质量，从而加快实验进程。
通过为您量身定制仪器，可以实现高质量和高速度的TEM薄片样品制备。Crossbeam 350具有可选的可变气压功能。Crossbeam 550可以针对您急需的样品实现更严苛的制样与表征，以及选择更适配样品的样品仓尺寸。
无论用于科研机构还是工业实验室，单用户实验室或多用户实验平台，如果您追求获得高质量，高影响力的实验结果，则蔡司Crossbeam的模块化平台设计允许您根据自身需求变化，随时对仪器系统进行升级。
更简单、更智能、更高度集成
深入洞察样品的2D、3D细节
蔡司Crossbeam的Gemini电子光学系统提供出色的样品图像。该技术除拥有高信噪比优势外，还具备高分辨率和高衬度，在加速电压较低时亦能保持高水准。利用FIB在低电压.下的出色性能可制备出高质量损伤小的样品(如TEM薄片样品)，并在获取3D数据中对样品进行全面表征。同时，系统还采用多种探测器，的能量选择背散射(InlensEsB)探测器可进行纯材料成分衬度的成像。可在维持样品仓内高真空的同时利用局部电荷补偿，或采用Crossbeam 350选配的可变气压模式，均可使用户在测试非导电样品时不受荷电效应干扰。
提升样品制备效率
将Gemini光学系统与全新的FIB加工方法相结合:凭借lon-sculptor FIB镜筒在低电压下的优异性能，可快速获得精确的结果，同时降低样品的非晶体化损伤。在制备TEM薄片样品，尤其是挑战性的样品时，可充分发挥这些优势。FIB 的大束流功能还拥有更多优势，包括使用高达100 nA的束流，不仅为您节省时间，同时可获得更高的FIB加工精度，自动批量制备截面或用户自定义图形，可以节省更多时间。优化的日常工作流程增强了FIB 离子源的使用寿命和稳定性，且在长期实验中更具优势。
出色的3D分辨率
凭借出色的3D分辨率和各向一致三维体素尺寸，用户可在FIB-SEM断层扫描成像中获取更精准、可靠的结果。Inlens EsB探测器能对深度小于3 nm的样品切片进行探测和成像。为其开发的Altas5，可快速且精确地控制每一片切片厚度，帮助您扩展Crossbeam产品的3D采集功能。您还可以在切片的同时进行成像，从而大大节约时间。此外，对三维体素尺寸的实时追踪和全自动图像聚焦像散流程也会让您获益匪浅。同时，Atlas5中全新集成的分析模块可在断层成像期间进行3D EDS和3D EBSD分析。
技术参数
| 蔡司Crossbeam 350 | 蔡司Crossbeam 550 | |
| 扫描电子显微镜(SEM) | 肖特基发射源 | 肖特基发射源 |
| 1.7nm@1 kV 0.9 nm @15 kV | 1.4 nm @1 kV | |
| 1.2 nm @1 kV,配备Tandem decel | ||
| 1.6 nm @ 200 V,配备Tandem decel | ||
| 0.7 nm @15 kV | ||
| 0.7 nm @30 kV(STEM模式) | 0.6 nm @30 kV(STEM模式) | |
| 2.3 nm @1kV(工作距离5mm) 1.1 nm @15kV(工作距离5mm) | 1.8 nm @1 kV(工作距离5mm) | |
| 1.3 nm @1kV,配备Tandem decel(工作距离5mm) | ||
| 0.9 nm @15 kV(工作距离5mm) | ||
| 2.3 nm @20 kV&10 nA(工作距离5mm) | 2.3 nm @20 kV&10 nA(工作距离5mm) | |
| 电子束流：5 pA-100 nA | 电子束流：10 pA-100 nA | |
| 聚焦离子束(FIB) | 液态金属离子源：寿命：3000μAh | 液态金属离子源：寿命：3000μAh |
| 分辨率：3 nm @30 kV(统计方法) | 分辨率：3nm @30 kV(统计方法) | |
| 分辨率：120nm@1kV&10pA(可选) | 分辨率：120 nm @1kV&10 pA | |
| 检测器 | Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、 | Inlens SE、Inlens EsB、ETD(Everhard-Thornley探测器)、 SESI(二次电子二次离子探测器)、aSTEM(扫描透射电子探测器)、 aBSD(背散射探测器)和CL(阴极荧光探测器) |
| 样品仓规格和端口 | 标准样品仓配有18个可配置端口 | 标准样品仓配有18个可配置端口 大型样品仓配有22个可配置端口 |
| 样品台 | X/Y=100 mm | X/Y =100mm X/Y=153mm |
| Z=50 mm, Z'=13 mm | Z=50 mm,Z'=13 mm Z=50 mm,Z'=20 mm | |
| T=-4°至70°,R=360° | T=-4°至70°,R=360° T=-15°至70°,R=360° | |
| 电荷控制 | 电子束流枪 | 电子束流枪 |
| 局部电荷中和器 | 局部电荷中和器 | |
| 可变气压 | - | |
| 气体 | 单通道气体注入系统：Pt、C、SiOx、W、H₂O | 单通道气体注入系统：Pt、C、SiOx、W、H₂O |
| 多通道气体注入系统：Pt、C、W、Au、H₂O、SiOx, XeF2。 | 多通道气体注入系统：Pt、C、W、Au、H2O、SiOx、XeF2。 |
| 蔡司Crossbeam 350 | 蔡司Crossbeam 550 | |
| 存储分辨率 | 32k×24k(使用选配的ATLAS 53D断层扫描模块，可高达50k×40k) | 32k×24k(使用选配的ATLAS53D断层扫描模块，可高达50k×40k) |
| 可选分析附件 | EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要还可提供其他选件 | EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要还可提供其他选件 |
| 优势 | 由于采用可变气压模式及广泛的原位实验，可大幅扩大样品兼容性。 | 以高通量完成分析与成像，且在各种条件下皆可获得高分辨率。 |
| 可伸缩ToF-SIMS二次离子质谱仪 |
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| 探测限值：<4,2 ppm(硅中的硼) | ||
| 横向分辨率：<35 nm | ||
| 质荷比范围：1-500 Th | ||
| 质量分辨率：m/△m>500 FWTM | ||
| 纵向分辨率：<20 nm AlAs/GaAs多层结构 | ||
| 飞秒激光器 |
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| 类型：DPSS(二极管抽运全固态激光器) | ||
| 波长(λ): 515 nm(绿色) | ||
| 光路：远心光路 | ||
| 脉冲间隔：<350 fs | ||
| 束斑尺寸：<15μm | ||
| 扫描范围：40x40 mm² | ||
