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Thetametrisis膜厚仪FR-Mic 微米级薄膜表征
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详细信息
膜厚仪 FR-Mic 是一款快 速、准确测量薄膜表征应用的模块化解决方案，可以将 光斑缩小到几个微米，进而分析微小区域或者粗糙表面薄膜特征。它可以配备一台专 用计算机控 制的 XY 工作台，使其快 速、方便和准确地描绘样品的厚度和光学特 性 。也可以搭配自动平台测量 400x400mm 大小样品。
Thetametrisis利用 FR-Mic，通过紫外/ 可见/ 近红外可轻易对局部区域薄膜厚度，厚度映射，光学常数，反射率，折射率及消光系数进行测量。
【相关应用】
- 高校 & 研究所实验室
- 半导体制造 (氧化物/氮化物， 硅膜, 光刻胶及其他半导体薄膜.)
- MEMS 器件 (光刻胶, 硅膜等.)
- LEDs, VCSELs 多层膜测量应用
- 数据存储
- 阳极处理氧化膜
- 曲面基底的硬化涂层
- 聚合物膜层, 粘合剂.
- 生 物医学(聚对二甲苯, 生物膜/气泡壁厚度.)
- OEM或客制化应用
【特点】
- 实时光谱测量
- 薄膜厚度，光学特性，非均匀性测量， 厚度映射
- 使用集成 USB 高品质彩色摄像机进行成像 (所視即所測)
【技术参数】
型号 UV/VIS UV/NIR-EXT UV/NIR-HR DUV/NIR VIS/NIR DVIS/NIR NIR NIR-N2 光谱波长范围(nm) 200–850 200–1020 200-1100 200–1700 370–1020 370–1700 900–1700 900-1050 光谱仪像素 3648 3648 3648 3648 & 512 3648 3648 & 512 512 3648 膜厚测量范围 5X- VIS/NIR 4nm-60um 4nm-70um 4nm-90um 4nm-150um 15nm-90um 15nm-150um 100nm-150um 4um-1mm(SiO2) 10X- UV/VIS/NIR 4nm-50um 4nm-60um 4nm-80um 4nm-130um 15nm-80um 15nm-130um 100nm-130um 4um-400um(Si) 15X- UV/NIR 4nm-40um 4nm-50um 4nm-50um 4nm-120um - - 20X- UV/VIS/NIR 4nm-25um 4nm-30um 4nm-30um 4nm-50um 15nm-30um 15nm-50um 100nm-50um 40X- UV/NIR 4nm-4um 4nm-4um 4nm-5um 4nm-6um - - 50X- VIS/NIR - - - - 15nm-5um 15nm-5um 100nm-5um 测量n&k蕞小厚度 50nm 50nm 50nm 50nm 100nm 100nm 500nm 准度 3. 0.1% or 1nm 0.2% or 2nm 50nm or 0.2% 精度 4.. 0.02nm 0.02nm 5nm 重覆性 5. 0.05nm 0.05nm 5nm 光源 氘灯&卤素灯(internal) 卤素灯(internal)10000 小時 (MTBF) 材料数据库 >650内建材料数据库
*测量面积(收集反射或透射信号的面积)与显微镜物镜和 FR-uProbe 的孔径大小有关。
| 物镜 | 光斑尺寸(μm) | ||
| 500μm孔径 | 250μm孔径 | 100μm孔径 | |
| 5x | 100μm | 50μm | 20μm |
| 10x | 50μm | 25μm | 10μm |
| 20x | 25μm | 17μm | 5μm |
| 50x | 10μm | 5μm | 2μm |
- 规格如有更改，恕不另行通知
- 测量结果与校准的光谱椭偏仪和 XRD 相比较,
- 连续 15 天测量的标准方差平均值。样品：(1um SiO2 on Si.) ,
- 100 次厚度测量的标准方差，样品：1um SiO2 on Si.
- 超过 15 天的标准偏差日平均值样品：1um SiO2 on Si。
- 使用反射式物鏡
以上资料来自Thetametrisis，如果有需要更加详细的信息，请联系我们获取。
