PV光伏组件紫外试验箱的使用方法
时间：2013-03-12 阅读：493
1、范围
本标准规定了光伏组件暴露于紫外辐照环境时，考核其抗紫外辐照能力的试验。本试验适用于评估诸如聚合物和保护层等材料的抗紫外辐照能力。本试验的目的是考核暴露于波长介于280nm到400nm的紫外辐照环境中组件的承受能力。在进行本试验前，光老炼或其他的预处理应按GB/T9535或GB/T18911进行。
2、规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的版本。凡是不注日期的引用文件，其版本适用于本标准。
GB/T6495.1-1996光伏器件第1部分:光伏电流一电压特性测量（idtIEC60904-1:1987）
GB/T6495.3-1996光伏器件第3部分:地面用光伏器件测量原理以及光谱辐照度数据（idtIEC60904-3:1989）
GB/T9535-1998地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型（idtIEC61215;1993）
GB/T18911-2002地面用薄膜光伏组件设计鉴定和定型（IEC61646:1996,IDT）
3、初始测量
应进行以下的初始测量:
——按GB/T9535-1998或GB/T18911-2002进行外观检查;
——按GB/T6495-1-1996在标准测试条件下测量I-V特性;
——按GB/T9535-1998或GB/T18911-2002进行绝缘测试。
4、设备
PV紫外老化试验箱由以下各项组成:
a）一个带有窗口或具有可以固定紫外光源和组件装置的温度控制试验箱，试验箱必须维持组件
温度在60℃士5℃的干燥环境。
b）能在组件测试面上产生均匀度为士15%的辐照，并能在5c）中规定的不同光谱区提供所需总辐照度的紫外光源。zui终的试验报告应指明所使用的紫外光源的种类
C）测试和记录组件温度的装置应保证准确度为士20C,温度传感器应粘接在靠近组件背面或正面的中部。如果几个组件同时进行试验，监测一个有代表性组件的温度即可。
d）能在组件测试面上测量紫外光源所产生辐照度的经标定的辐射计。
5、步骤
PV紫外老化试验箱应根据以下的步骤进行试验
a）用标定过的辐射计测量组件测试平面的辐照度，并保证波长在280nm^400nm之间，试验光谱辐照度不超过其对应标准光谱辐照度的5倍，标准AMI.5太阳辐照分布由GB/T6495.3表1给出，保证波长低于280nm的光谱辐照是测量不到的，并保证在测试平面辐照的均匀度GB/T19394-2003/IEC61345;1998为士15%.
b）将组件安装在测试平面上根据a）选择的区域内，使紫外辐照光线垂直于组件正面。
C）维持组件温度在规定的范围内，组件接受的zui小辐照量为:
—波长范围280nm-320nm,7.5kWh，m-}和—波长范围320nm-400nm,15kWh·m-1。
d）调整组件使紫外辐照线垂直于组件背面。
e）重复步骤C），辐照量为正面辐照水平的1000,
注:正在修改中的IEC61215，单晶硅组件的紫外辐照试验不进行步骤d）和e），步骤c）改为:“组件接受的辐照量为：波长范围280nm-385nm,15kWh·m-.使用本标准时，单晶硅组件可参照此进行。
6、zui终测试
重复以下测量:
——按GB/T9535-1998或GB/T18911进行外观检查;
——按GB/T6495.1-1996在标准测试条件下测量IN特性;
——按GB/T9535-1998或GB/T18911进行绝缘测试。
7、要求
试验的组件应满足以下要求:
——无GB/T9535-1998或GB/T18911规定的严重外观缺陷。
——在标准测试条件下，zui大输出功率衰降不大于试验前测试值的500。对于薄膜组件，在标准测试条件下，zui大输出功率应大于制造商提供的该组件的标称功率的zui小值。
——按GB/T9535-1998或GB/T18911中规定，绝缘电阻应满足初始测量值的要求。
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