品牌
其他厂商性质
所在地
| 系统配置 | CPU | Huawei EC-Core-L,基于ARM Cortex A9双核处理器，主频≥700M |
| 内存 | 核心板板载512MB DDR3内存 | |
| 存储设备 | 存储 | 1G FLASH（核心板板载） |
| I/O接口 | 前置 | 1个千兆RJ45网络接口, 1个Console调试串口, 4个三线RS485串口, 2个三线RS232串口 2个SIM卡槽, 1个LORA天线SMB接口, 1个4G天线SMB接口, 1个支持热拔插的USB口 |
| 后置 | 3个千兆RJ45网络接口, 1个船型开关, 1个5Pin三相载波HPLC口电源接口 1个外壳接地端子, 1个3Pin电源接口 | |
| 指示灯 | 前面板指示灯：RUN、ALM、CTL、WAN、PWR、MCU、LTE和电以太网口连接、数据灯 后面板指示灯：电以太网口连接、数据灯 | |
| 电源模块 | 单电源，输入范围 AC85V~265V OR DC40~ 370V；频率 47~ 63Hz | |
| 机箱尺寸 | 含挂耳尺寸: 266.6mm×224mm×44mm 不含挂耳尺寸: 224mm×225.6mm×44mm | |
| 净重 | 4.5Kg（不包含包装、配件重量） | |
| 颜色 | 银白色 | |
| 温度 | LTE发射功率情况；-25℃～+65℃ LTE典型发射功率情况：-25℃～+70℃ 存储温度：-40℃～+85℃ | |
| 湿度 | 5％到95％（非凝结） | |
| 电磁兼 容性 | GB/T 15153.1- 1998 | 装置应能承受规定的严酷等级为Ⅲ的干扰试验，试验频率为1MHz，试验电压为共模2500V，差模1000V的衰减振 荡波干扰试验 |
| GB/T 15153.1- 1998 GB/T 17626.x | 装置能承受GB/T15153.1-1998 标准规定的Ⅳ级(接触放电8kV)静电放电干扰试验 GB/T 17626.3-2006射频电磁场辐射抗扰度（III）级 GB/T 17626.4-2006冲脉群抗扰度（IV）级 GB/T 17626.5-2008浪涌（冲击）抗扰度（IV）级 GB/T 17626.6-2017传导抗扰度（III）级 GB/T 17626.8-2006工频磁场扰抗扰度（V）级 GB/T 17626.9-1998脉冲磁场抗扰度（V）级 GB/T 17626.10-2017阻尼振荡磁场抗扰度（IV）级 GB/T 17626.12-1998 振荡波抗扰度试验（III/IV）级 | |
| 其它干扰 | 装置通过了符合1000kV工程要求的其它电磁干扰试验 | |
| 安规 | GB/T14598.3- 2006（eqv IEC60255-5） | 介质强度：规定的交流电压为2.5kV（强电回路）或500V（弱电回路）、频率为50Hz、历时1min 的介质强度试验，而无 击穿和闪络现象。 绝缘电阻：用开路电压为500V的测试仪器测定装置的绝缘电阻值不小于100MΩ 冲击电压：峰值为5kV（强电回路）或1kV（弱电回路）的标准雷电波的冲击电压试验 漏电流：对地漏电流≤3.5mA |
| 机械环境适应性 | 抗振动：装置能承受GB/T 11287（idt IEC60255-21-1）规定的I级振动响应和振动耐受试验 抗冲击：装置能承受GB/T 14537（idt IEC60255-21-2）规定的I级冲击响应和冲击耐受试验，以及I级碰撞试验 热性能(过载能力)：装置的热性能（过载能力）符合DL/T478-2001的以下规定： 电源回路：80％～115％额定电压，连续工作。 | |
| 可靠性 | 平均工作时间：MTBF≥50000h 平均维修时间：MTTR≤0.5h | |
| 料号 | 型号 | 描述 |
0010-138081 | SPC-4101AA2039 | 1U 电力行业专用机/ EC Core-1-L @700MHz /512M内存/1GB Flash /4x以太网口/4x RS485/2 xRS232 /1x Console口/1x USB /2x SIM卡槽/AC 85V~265V or DC40~ 370V单电源 |
