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特征
Si-PIN和InGaAs-PIN光电二极管
波长范围为320至1700 nm
超宽带宽，从10 kHz到2 GHz
ZUI大转换增益4.75 x 103 V / W.
ZUI小NEP 11 pW /√Hz
GHZ技术
通过将**的光电二极管与经过验证的出色的FEMTO GHz放大器技术相结合，我们设计了一系列具有**性能的新型光电接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的带宽上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管，光谱范围分别为320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器设计，*小NEP仅为11pW√Hz，互阻抗为5 x 103 V / A. 这允许以GHz速度测量μW范围内的光功率水平。
应用
光谱
快速脉冲和瞬态测量
光学触发
用于示波器和A / D转换器的光学前端（O / E转换器）
| Model | HSA-X-S-1G4-SI | HSPR-X-I-1G4-SI inverting | HSA-X-S-2G-IN | HSPR-X-I-2G-IN inverting |
| Photodiode | Ø 0.4 mm Si-PIN | Ø 0.4 mm Si-PIN | Ø 0.1 mm InGaAs-PIN | Ø 0.1 mm InGaAs-PIN |
| Spectral Range | 320 ... 1000 nm | 320 ... 1000 nm | 900 ... 1700 nm | 900 ... 1700 nm |
| Bandwidth (−3 dB) | 10 kHz ... 1.4 GHz | 10 kHz ... 1.4 GHz | 10 kHz ... 2 GHz | 10 kHz ... 2 GHz |
| Rise/Fall Time (10 % - 90 %) | 250 ps | 250 ps | 180 ps | 180 ps |
| Transimpedance Gain | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A inverting | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A inverting |
| Conversion Gain | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) |
| NEP (@ 100 MHz) | 32 pW/√Hz (@ 760 nm) | 19 pW/√Hz (@ 760 nm) | 16 pW/√Hz (@ 1550 nm) | 11 pW/√Hz (@ 1550 nm) |
| Output VSWR | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 |
| Maximum Output Voltage @ 50 Ω | 1.9 VPP | 2.0 VPP | 1.9 VPP | 2.0 VPP |
| Output Noise | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS |
| Available Input Options | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC |
