性能指标

1. SEM分辨率： 0.7nm @ 15kV(COF)、1.0nm @ 15kV 1.0nm @ 1kV(COF)、1.4nm @ 1kV
2. FIB分辨率：2.5nm @ 30kV
3. FIB束流：1pA～50nA
4. 探测器： 样品室和镜筒内二次电子探测器 样品室和镜筒内背散射电子探测器
5. 质谱质量分辨率：>800
6. 质谱探测极限：3ppm
7. 质谱空间分辨率：40nm(水平方向) 3nm(深度方向)
8. 附件：能谱仪(EDS)、EBSD 

主要应用

1. 该设备在双束电镜(SEM/FIB)的基础上配备了EDS和EBSD，同时还集成了一体化的TOF-SIMS。
2. 该设备不但能进行低电压超高分辨的电镜观察；
3. 也能利用FIB对试样进行切割、加工、沉积，从事内部和截面观察及特定图形加工工作。
4. TOF-SIMS可以进行高空间分辨的质谱分析，可对包含H、Li等传统EDS无法分析的全元素以及同位素进行分布分析。 

样品要求

1. 送检样品必须为干燥固体、块状、片状、纤维状及粉末状均可。
2. 应有一定的化学、物理稳定性，在真空中及电子束轰击下不会挥发或变形；无磁性、放射性和腐蚀性。
3. 含水分较多的生物软组织的样品制备，要求用户自己进行临界点干燥之前的固定、清洗、脱水及用醋酸（异）戊酯置换等处理，最后由本室进行临界点干燥处理。
4. 观察图像样品应预先喷金膜。
5. 一般情况下，样品尽量小块些（≤10x10x5mm较方便）。
6. 粉末样品每个需1克左右。
7. 纳米样品一般需超声波分散，并镀铂金膜。 

仪器说明

1. 超高分辨率的电镜适合多种试样的极限观察；
2. 超高分辨率的FIB可以进行精确的试样加工，尤适合制备定区域TEM薄片；
3. TOF-SIMS有着远胜于EDS的空间分辨率；
4. 元素深度剖析有着非常高的Z方向分辨率，非常适合薄膜分析；
5. 具有ppm级的探测灵敏度；
6. 可进行同位素分析。