-
PMST-4000A半导体功率器件静态测试系统
半导体功率器件静态测试系统认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。 参考价面议 -
PMST-3000V大功率IGBT静态参数测试仪
大功率IGBT静态参数测试仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA 参考价面议 -
E300IGBT器件动态参数测试设备
IGBT器件动态参数测试需要的仪器是一系列的，具体可以找生产厂家普赛斯仪表为您提供检测方案哦！普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等，*国产空白 参考价面议 -
E系列IGBT器件静态参数测试仪器
IGBT器件静态参数测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺 参考价面议 -
E系列国产3000V高电压源测单元
国产3000V高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。 参考价面议 -
S100B国产源表+源表模块+国产数字源表
国产源表+源表模块+国产数字源表认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案 参考价￥31000 -
PMST-1000A1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统
1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统可精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。 参考价￥10000 -
PL101/102VCSEL激光器liv测试脉冲电流源
VCSEL激光器liv测试脉冲电流源具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激光器电压测量等功能。输出脉冲宽度最小可至1uS，输出Z大脉冲电流30A。 参考价￥1000 -
S100B国产源表IV扫描雪崩光电二极管电性能
雪崩光电二极管(APD)是一种具有内部增益的光电二极管,其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后(在硅材料中一般为100-200V),利用电离碰撞(雪崩击穿)效应,可在APD中获得一个大约100的内部电流增益;国产源表IV扫描雪崩光电二极管电性能上武汉普赛斯仪表咨询 参考价￥1000 -
S200B国产源表IV扫描压力传感器电性能
通常，压力传感器Ⅳ特性测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且，使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。实施I-V特性分析的Z佳工具之一是数字源表(SMU）。数字源表作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，国产源表IV扫描压力传感器电性能认准生产厂家武汉普赛斯仪表 参考价￥1000 -
S100B国产源表测试气体传感器电性能方案
气体传感器 I-V 特性测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而，由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间，实施I-V特性分析的Z佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析 参考价￥1000 -
S100B直流3A国产数字源表
普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,半导体测试领域的经典产品，直流3A国产数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表 参考价￥1000