S100B国产源表+源表模块+国产数字源表
国产源表+源表模块+国产数字源表认准普赛斯仪表,普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案 参考价¥31000PMST-1000A1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统
1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统可精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。 参考价¥10000PL101/102VCSEL激光器liv测试脉冲电流源
VCSEL激光器liv测试脉冲电流源具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激光器电压测量等功能。输出脉冲宽度最小可至1uS,输出Z大脉冲电流30A。 参考价¥1000S100B国产源表IV扫描雪崩光电二极管电性能
雪崩光电二极管(APD)是一种具有内部增益的光电二极管,其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后(在硅材料中一般为100-200V),利用电离碰撞(雪崩击穿)效应,可在APD中获得一个大约100的内部电流增益;国产源表IV扫描雪崩光电二极管电性能上武汉普赛斯仪表咨询 参考价¥1000S200B国产源表IV扫描压力传感器电性能
通常,压力传感器Ⅳ特性测试需要几台仪器完成,如数字表、电压源、电流源等。过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。而且,使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作,有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。实施I-V特性分析的Z佳工具之一是数字源表(SMU)。数字源表作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,国产源表IV扫描压力传感器电性能认准生产厂家武汉普赛斯仪表 参考价¥1000S100B国产源表测试气体传感器电性能方案
气体传感器 I-V 特性测试需要几台仪器完成,如数字表、电压源、电流源等。然而,由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间,实施I-V特性分析的Z佳工具之一是数字源表(SMU)。数字源表作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器,波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析 参考价¥1000S100B直流3A国产数字源表
普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,半导体测试领域的经典产品,直流3A国产数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表 参考价¥1000PMST-1000A第三代功率半导体器件静态测试系统
第三代功率半导体器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点 参考价¥1000PL101/102PD光电流测试脉冲电流源
PD光电流测试脉冲电流源超窄至1us的脉宽,大到30A的脉冲电流,兼容CW和QCW模式,丰富的软件接口,可广泛用于LD脉冲电流、脉冲电压、PD光电流、背光二极管暗电流测试; 参考价面议S系列光伏电池伏安特性测试数字源表
普赛斯光伏电池伏安特性测试数字源表是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的Z佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围,可以为科研及生产制造提供的测量性能。结合太阳光模拟器以及专用的上位机软件,支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、Z大功率、填充因子、转换效率等参数的测量,能极大简化太阳能电池I-V测试效率 参考价面议CTMS霍尔电流传感器测试系统
电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A 参考价面议S100国内高精密源表品牌
国内高精密源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯数字源表国产自主研发,性价比高,测试范围更广,输出电压高达300V,支持USB存储,一键导出报告,符合大环境下国内技术自给的需求,可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案,及时指导客户编程,加速测试系统开发 参考价面议