1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统
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1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统

PMST-1000A1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统

参考价: 订货量:
10000 1

具体成交价以合同协议为准
2023-04-19 13:45:43
386
属性:
集电极-发射极 Z大电压:3500V;Z大电流:6000A;漏电流测试范围:1nA~100mA;
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产品属性
集电极-发射极 Z大电压
3500V
Z大电流
6000A
漏电流测试范围
1nA~100mA
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武汉普赛斯仪表有限公司

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产品简介

1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统可精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。

详细介绍

1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统特点和优势:

单台Z大3500V输出;

单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;

15us的超快电流上升沿;

同步测量;

国标全指标的自动化测试;

可定制夹具;

纳安电流和uΩ级电阻测量;

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系统简介 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法    灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。


系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至皮安级漏电流;集电极-发射极,Z大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;Z高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率Z高支持1MHz。

 

系统特点

高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);  
大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);
高精度:支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;


测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供

整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。

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测试项目

集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


更多有关1700V/1000A半导体功率器件静态测试系统详情找普赛斯仪表专员为您解答,普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景

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