武汉普赛斯第三代半导体测试仪，特别适用于精密电压源和电流源驱动，且同时进行电流与电压测量的测试应用。所有源表皆提供精密的电压和电流源测量能力。每个源表均由一个高稳定的直流源和一个真仪器级的5位半多功能表组成。
 
该电源特性包括：低噪声，高精度和回读功能。万用表功能包括高重复性和低噪音。其结果形成了一个紧凑的单通道直流参数测试仪。在操作中，这些仪器可以作为一个电压源，电流源，电压表，电流表和电子负载。

 
第三代半导体测试仪技术参数为：
 
（1）输出功率：30W
 
（2）电压范围：±0.1%~±300V
 
（3）电流范围：±100pA~±1.05A
 
（4）电压精度：0.01%
 
（5）电  压 源 精 度 ：±( 0.01 %+ 30m V)
 
（6）电 压 测 量精 度 ： ± (0.0 1%+30m V        )
 
（7）电 流 源 精 度 ：± (0 .01%+2mA )
 
（8）电 流 测 试精 度 ：± (0     .01 %+ 2m A)               ；
 
（9）电流精度：0.01%
 
（10）接口方式：RS232串口、GPIB、LAN

数字源表特点

5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作   

内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV

源及测量的准确度为0.1%，分辨率5位半

四象限工作（源和肼），源及测量范围：高至300V，低至10pA

丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

支持USB存储，一键导出测试报告

支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网

S系列源表应用

•分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件；

•能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等

•传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等

•有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等

•纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等  
 
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