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HO 60-NP-0100 非接触式电流传感器
面议HO 200-PW 高性能、非接触式电流传感器
面议CT0.1-P LEM电流传感器
面议CTSR 0.6-P 无触点精密毫安电流测量
面议CTSR 0.3-P 无触点精密毫安电流测量
面议LH 25-P 高精度电流传感器
面议HXD 03-P 电流传感器
面议HO 250-P-0100 LEM HO 系列 电流传感器
面议HO 150-P-0100 LEM HO 系列 电流传感器
面议HO 100-P-0100 HO 系列 电流传感器
面议HO 25-P 非接触式电流传感器
面议HO 6-P LEM HO 系列 电流传感器
面议功能:
• 原边与副边之间是绝缘的,主要用于直流、交流和脉冲电压测量
• 电源电压:+/- 13,5 ...26,4 V
• 环境操作温度:-40°C to +85°C
• 无论对于原边还是副边,都有多种连接方式可供选择(连接器、屏蔽电缆、螺钉……)
• 标准输出为电流信号(一经要求,电压、PWM、数字式以及其它输出方式均可考虑)
符合标准:
• EN50155,铁路应用:
o 机车主、辅牵引变流器测量
o 机车电能表输入信号
o 机车断路器电压测量
o 牵引供电站
o 同样适用于工业领域应用
LEM研发的解决方案是一种双轴磁通门闭环传感器,即的HPCT,将其工作原理与应用更普遍的霍尔效应技术相比,这种可能更有用。
霍尔效应于1879年由美国物理学家Edwin Herbert Hall 发现,那时他就读于位于巴尔的摩的John Hopkins 大学。霍尔效应由对穿过磁通密度的运动电荷起作用的洛伦兹力产生,F=q.(VXB)。向磁场中非常薄的半导体箔片施加一个控制电流。控制电流的运动载流子在外磁通密度B产生的洛伦兹力的作用下发生垂直于电流方向的偏移。这种偏移导致更多的载流子在导体的一端聚集,从而在导体两端形成一个电势差,这就是霍尔电压。
霍尔效应的某些元素与温度相关,尤其是霍尔元件的霍尔系数以及失调电压。因此,任何采用霍尔效应的电流传感器都必须提供温度补偿。