产品简介
输出继电器类型Instantaneous
技术Open loop Hall Effect
测量Current
原边理论值500 A
精度2 %
封装-
测量范围500 A
供电电压5 - 5
供电电压类型Unipolar
副边额定信号2 V
详细介绍
主机实质上是一个带有人机交互界面的嵌入式系统。为了完成嵌入式平台的构建,方便实现网络协议的通讯,拟采用ARM9+操作系统的方式,考虑到工业级的工作温度以及方便带液晶接口,选择ATMEL公司的AT91SAM9261作为系统的主控CPU。为了调试方便采用核心板+扩展板的方式,核心板上布置一个ARM9的小系统,将所有接口皆引出,而功能部分则布置在扩展板上。3.1 核心板部分设计核心板的设计框图如下: 说明:1) 由于AT91SAM9261采用Dataflash的启动的方式只能工作在温度高于0℃低于70℃的范围,一旦温度低于0℃将无法启动。为了解决这个问题,只能使ARM采用外部启动即NOR FLASH启动的方式,因此需要选择启动模式为外部启动(BMS=0),以达到工业现场的温度要求。2) Norflash存储器芯片选择AMD公司的AM29LV160DB,其容量为4M*16bit,用于存储BOOT程序,小型操作系统及小型应用程序。设计时采用字对齐方式,即芯片的A0地址线对应ARM芯片的A1地址线。另外由于ATMEL*提供的SAM-BA烧写程序仅支持Dataflash和Nandflash,因此有必要修改SAM-BA的脚本文件以实现对Norflash的烧写3) Nandflash存储器芯片选择三星公司的K9F1208U0B,其存储容量为存储容量:64M*16bit,采用wince或者linux的操作系统时使用该芯片中存储操作系统和应用程序;如使用ucos之类的小型操作系统时,则该芯片可以省略不焊接,系统与BOOT程序存储在Norflash即可。4) Sdram芯片采用MT48LC16M16A2TG-75IT:D,每片容量为16M*16bit,本系统中采用两片SDRAM构成32数据总线。由于Sdram芯片为整个嵌入式平台的内存,需要频繁地与CPU进行数据交互,为了实现较好的信号完整性,在靠近ARM的地址和控制总线上串联22欧姆平衡电阻吸收信号反射。当采用小型操作系统时候,操作系统可在ARM内部的SRAM中运行,Sdram可以省略不焊接。5)扩展接口将ARM芯片的所有可用接口皆扩展出来,用于和扩展板连接。6)由于信号密集,同时需要将接口全部引出并保证良好的电磁兼容性效果,PCB采用六层板PCB设计方式,采用信号层——地层——信号层——电源层——地层——信号层的方式。