FQA28N50: 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，28.4 A，160 mΩ ，TO-

3P 

此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此*技术特别适用于降低导通电阻，提供开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。

• 28.4 A、500 V、RDS(on) = 160 mΩ（ VGS = 10 V、ID = 14.2 A）
• 低栅极电荷（典型值 110 nC)
• 低 Crss（典型值 60 pF)
• * 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

• 保护IC：

  移动电源IC：

  驱动IC：

  音频功放IC：

  触摸IC:

  稳压IC：

  MOS管：

• 三极管：

  二极管：IN4001-IN4007/M1-M7系列、1N4148、

          1N5817-1N5819/SS12-SS56系列、

          1N5400系列、SF10-30系列、

          SR10-50系列、RS1A-RS3M系列

          US1A-US3M系列、ES1A-ES3J系列

  为广大客户提供电子元器件一站式配套采购专业供应商