光敏电阻实验研制备与分析
光敏电阻实验研制备与分析
光敏电阻实验研制备与分析
光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小1KΩ以下。光敏电阻对光线敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。
实验前所需部件:
稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、光源、遮光罩、激光器。
实验测试性质曲线图如下：
光敏电阻伏安性质曲线
1）光敏电阻随 入射光线的强弱其对应的阻值变化不是线性的，也不能用它作光电的线性变换。
2）在光敏电阻的暗电流、 亮电流、光电流测试中，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，则灵敏度越高。随着光照强度的，电阻会变小，而且光照越强，电阻减小的越快。通过实验得到的光敏电阻的电阻与光强间关系曲线，不是线性关系，即光敏电阻的阻值与光强不成反比关系,因此光敏电阻不可以用在线性的光感测量中.可用于做光控开光等。
光电器件产品列表：
类别 | 产品名称 | 关键词 |
光敏电阻ldr | 光导管 | 光导管的影像感测装置 |
侧采光光导管 | ||
太阳能光导管 | ||
薄膜光导管 | ||
光敏电阻器 | MgZnO日盲光敏电阻器 | |
ZnO基薄膜紫外光敏电阻器 | ||
硫化镉(CdS)光敏电阻器 | ||
型的光敏电阻器介质材料 | ||
环形光敏电阻器瓷料 | ||
钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件 | ||
平面型薄膜光敏电阻器 | ||
硅衬底BaSrNbTiO薄膜光敏电阻器 | ||
离子束溅射生长Ge/Si量子点光敏电阻器 | ||
发光二极管与光敏电阻的耦合 | ||
光敏/光电二极管 | 稳压二极管 | 非线性正向和反向伏安稳压二极管 |
大功率稳压二极管 | ||
低压稳压二极管芯片 | ||
SOD-323封装外型MM3Z2V4稳压二极管 | ||
LL-41(Melf) 玻封稳压二极管 | ||
双向稳压二极管DB3芯片 | ||
RT52系列贴片稳压二极管 | ||
反向低击穿硅稳压二极管 | ||
齐纳二极管/稳压管 | ||
硅双向稳压二极管 | ||
齐纳二极管基分立集成滤波器 | ||
SiC肖特基二极管（SiC-SBD） | 915MHz紧凑型肖特基二极管 | |
分立式GaA s肖特基势垒二极管 | ||
InAlN/GaN肖特基二极管 | ||
有机/金属肖特基二极管 | ||
太赫兹肖特基二极管 | ||
肖特基二极管混频器 | ||
结势垒肖特基二极管(JBS) | ||
300V以上硅基JBS肖特基二极管 | ||
AlGaN/GaN背对背肖特基二极管 | ||
6H-SiC肖特基二极管 | ||
4H-SiC肖特基二极管α探测器 | ||
深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管 | ||
Si基MOS肖特基二极管式氢气传感器 | ||
一维轴向有机无机异质结肖特基二极管 | ||
3C-SiC功率肖特基二极管 | ||
常规结势垒肖特基二极管 | ||
4H-SiC浮动结结势垒肖特基二极管 | ||
太赫兹GaAs肖特基二极管 | ||
MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器 | ||
基于NEDI砷化镓肖特基二极管 | ||
碳化硅肖特基二极管 | ||
Al/ZnO/Ag肖特基二极管 | ||
沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管 | ||
PIN二极管 | 砷化镓GaAsPIN二极管 | |
非晶硅Pin二极管 | ||
(HPM2013)GaAs PIN二极管 | ||
固态等离子体S-PIN二极管 | ||
小型化高功率微波PIN二极管 | ||
氢化非晶硅(α-Si:H)pin二极管 | ||
带状线/4H-SiC PiN二极管 | ||
ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光 | ||
MUR8100PIN二极管 | ||
柔性单晶锗纳米薄膜(GeNM)PIN二极管 | ||
大功率碳化硅PiN二极管 | ||
GaAs微波器件PIN二极管 | ||
反射与并联混合式PIN二极管 | ||
4H-SiC高压PiN二极管 | ||
TVS二极管 | N+型衬底TVS二极管 | |
N-外延层TVS二极管 | ||
N+/N-外延衬底TVS二极管 | ||
瞬态电压(TVS)二极管 | ||
大功率平面结单向TVS二极管芯片 | ||
大功率平面结双向TVS二极管芯片 | ||
低电压/低漏电流的TVS二极管器件 | ||
两路双向TVS二极管 | ||
电容TVS二极管 | ||
单向低电容TVS二极管 | ||
变容二极管 | MMVL10 5 GT1变容二极管 | |
(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管 | ||
线性缓变异质结变容二极管 | ||
突变结变容二极管 | ||
掺砷化镓平面肖特基变容二极管 | ||
变掺杂变容二极管 | ||
叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管 | ||
3mm微带混合集成变容二极管 | ||
硅调谐变容二极管 | ||
常γ砷化镓电调变容二极管 | ||
a-Si作缘层的表面变容二极管 | ||
整流二极管整流桥堆 | 桥式整流电容滤波电路转换器 | |
单相二极管整流桥堆 | ||
薄型焊接式整流桥堆 | ||
矩阵式整流桥堆二极管 | ||
封装光伏整流桥堆 | ||
激光二极管 | 大功率激光二极管线列阵器件 | |
高功率激光二极管抽运Nd | ||
激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合 | ||
角锥棱镜腔激光二极管(LD) | ||
半导体激光二极管 | ||
AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵_ | ||
InGaN基发光二极管和激光二极管 | ||
5W连续激光二极管端面抽运的Nd:YAG激光器 | ||
脉冲激光二极管侧面抽运Nd | ||
激光二极管抽运的Er3+、Yb3+共掺磷酸盐玻璃激光器 | ||
激光二极管抽运光耦合进双包层光纤 | ||
贴片发光二极管SMD | 全彩贴片发光二极管SMD LEDSMD | |
贴片发光二极管(SMD LED)颗粒 | ||
SMD陶瓷贴片 | ||
SMD贴片支架 | ||
分离式可调光贴片SMDLED | ||
插件发光二极管LAMP | LAMP式发光二极管 | |
曲面反射腔的LAMP发光二极管 | ||
发光二极管环射信号灯 | ||
高亮度LAMP发光二极管 | ||
连接式发光二极管灯(H-9512C) | ||
diode lamp (h-890) 碟型发光二极管灯(h-890) | ||
半导体发光二极管(LED) | ||
内置芯片贴片SMD+IC | SMD LED贴片分光机 | |
LED驱动IC的贴片LED | ||
SMD LED芯片封装基板 | ||
硅光电池电二极管 | 波长范围400毫微米1100毫微的米硅光电池电二极管 | |
近红外硅光电池电二极管 | ||
背点接触式薄膜硅光电池 | ||
SINP硅光电池C—V/I—V | ||
太阳能硅光电池无铅电子浆料 | ||
InGaAs/InPPIN光电二极管 | ||
SiC基异质结/SiC非紫外光电二极管 | ||
4H-SiC PIN紫外光电二极管 | ||
n_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光电二极管材料 |