MCD50-B/3+NPE重点技术参数
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具体成交价以合同协议为准
2018-02-27 15:31:19
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产品简介

MCD50-B/3+NPE重要安装参数MCD50-B/3+NPE重点技术参数涌保护器配合使用时,无需设计退耦装置,可以将两极保护器安装在一起。该产品是OBO在间隙型浪涌保护器的多电极石磨堆叠技术新发展。

详细介绍

MCD50-B/3+NPE重点技术参数浪涌保护器MCD 50-BMCD 125-B/NPE满足标准DINVDE 6F5 Part6Draft 11.89A1,A2B类器件的需求条件,以及标准IEC61643-10289)对第Ι级浪涌保护器的要求,他们与后级限压型电涌保护器配合使用时,无需设计退耦装置,可以将两极保护器安装在一起。该产品是OBO在间隙型浪涌保护器的多电极石磨堆叠技术新发展。
MCD50-B以其低保护电压水平(Up1.31KV)的特性,MCD50-B/3+NPE重点技术参数确保了与MCD50-B/3+NPE一级浪涌保护器与C级浪涌保护器配合使用时,不需要设计退耦装置或者在B级和 C级之间留一定的安装距离。这样它可以节省超过45%的安装空间,MCD50-B这个特性特别是对紧凑型Z-MC概念有着特殊的贡献。另外,NPE放电间隙MCD125-B/NPE击电涌保护器其大通流量的特性在TTTN-S系统中使用,可以同时作为BC级浪涌保护器的NPE保护模块,节省费用及安装空间。
新的MCD50-B/3+NPE一级浪涌保护器周*的应用环境是,需要有紧凑的防雷保护概念或者需要在一个独立的小型机房内安装BC两级浪涌保护器的环境。

MCD50-B/3+NPE一级浪涌保护器参数


 

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