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深圳市普恩科技有限公司

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深圳市普恩科技有限公司是一家专业为电子生产企业提供菲涅尔透镜、传感器及专用芯片等感应电子元件的高科技产品服务公司。自创立以来，普恩科技专注于热红外感应、光电子、超声、振动、气体等系列产品配套推广以及依据多层次目标客户需求进行方案设计和开发。目前，公司拥有一支十多年传感器产品服务经验的专业开发团队，已经在亚洲、欧洲及美洲部分地区电子行业用户提供了多种传感器产品和设计方案。在智能家电、安防产品、自动化灯控、汽车电子、智能数码、工控仪表、医疗保健等众多领域，普恩科技综合资源优势为客户提供产品组合方案。随着科学技术发展及市场需求，我们将不断开拓进取和扩充产品线，为客户提供不同组合的高性价比产品及服务。在产品的开发设计领域，普恩科技凭着丰富的设计经验和专业的服务素质为广大制造业者获得全面的技术支持和商品服务。今天，通过我们全体员工的长期不懈努力，普恩科技已经获得广大客户的认可和信任。面向未来，普恩科技仍将不断加大技术研发的投入，规范内部管理，并通过加快公司信息化建设以构建公司的核心竞争力，继续以专业化标准来规范并提供优质服务，创产品。我们相信，以全部资源专注于感应电子产品分销、开发及产品应用领域，普恩科技将成为您事业中的合作伙伴，在共同的合作中与您相互成就，互相成长。

详细信息

光敏三极管PT850-F3

■特征Features

响应时间快（Fast response times）。

高光敏性（High photo sensitivity）。

小结电容（Small junction capacitance）。

替代传统CDS光敏电阻，不含镉、铅等有害物质，符合欧盟ROHS标准（Instead of the traditional CDS photosensitive resistance, contain cadmium, lead and hazardous substances, ROHS compliant）。用于光控类产品，控制昼夜切换（For optical control products, control day and night switching）。

■ ■ 额定值Absolute Maximum Ratings (Ta = 25℃)

参数

Parameter

符号

Symbol

额定值

Rating

单位

Units

工作电压

Supply input Voltage

                 VCC

12

V

工作环境温度

Operating Temperature

                Topr

-25~+85

℃

储存环境温度

Storage Temperature

               Tstg

-40~+100

℃

焊接温度

Lead Soldering Temperature

               Tsol

260

℃

25℃或低于 25℃环境下功耗Power Dissipation at(or below)25℃ Free Air Temperature

              PC

70

mW

■光电特性Electro-Optical characteristics(Ta=25℃)

参数

Parameter

符号Symbol

条件Condition

最小值Min.

中间值Typ.

值Max.

单位Units

集电极发射极击穿电压Collector-Emitter Breakdown Voltage

BVCEO

Ic=100μA

Ee=0mW/cm²

30

---

70

V

发射极集电极击穿电压Emitter-Collector Breakdown Voltage

VECO

IE=100μA

Ee=0mW/cm²

5

---

---

V

集电极发射极饱和电压Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sta)

Ic=2mA

Ee=1mW/cm²

---

---

0.4

V

启动延时Rise time

Tr

VCE=5V

Ic=1mA

RL=1000Ω

---

15

---

μS

关闭延时Fall Time

Tf

---

15

---

暗电流Collector Dark Current

ICEO

Ev=0mW/cm²

VCE=20V

---

---

100

nA

亮电流On StatCollector Current

IC(on)

Ev=10lux 590nmVCE=5v

7

---

8

uA

接收峰值光谱

Wavelength of Peak Sensitivity

λρ

---

400

850

1100

nm

光敏三极管PT850-F3

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产品参数

规格类型

常用功能直达

参数 Parameter	符号 Symbol	额定值 Rating	单位 Units
工作电压 Supply input Voltage	VCC	12	V
工作环境温度 Operating Temperature	Topr	-25~+85	℃
储存环境温度 Storage Temperature	Tstg	-40~+100	℃
焊接温度 Lead Soldering Temperature	Tsol	260	℃
25℃或低于 25℃环境下功耗Power Dissipation at(or below)25℃ Free Air Temperature	PC	70	mW

参数 Parameter	符号Symbol	条件Condition	最小值Min.	中间值Typ.	值Max.	单位Units
集电极发射极击穿电压Collector-Emitter Breakdown Voltage	BVCEO	Ic=100μA Ee=0mW/cm²	30	---	70	V
发射极集电极击穿电压Emitter-Collector Breakdown Voltage	VECO	IE=100μA Ee=0mW/cm²	5	---	---	V
集电极发射极饱和电压Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sta)	Ic=2mA Ee=1mW/cm²	---	---	0.4	V
启动延时Rise time	Tr	VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω	---	15	---	μS
关闭延时Fall Time	Tf	VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω	---	15	---	μS
暗电流Collector Dark Current	ICEO	Ev=0mW/cm² VCE=20V	---	---	100	nA
亮电流On StatCollector Current	IC(on)	Ev=10lux 590nmVCE=5v	7	---	8	uA
接收峰值光谱 Wavelength of Peak Sensitivity	λρ	---	400	850	1100	nm