采用优质的氧化铝和陶瓷制作的等离子清洗机系统，具有优异的耐久性，价格低廉反应离子蚀刻系统与各向异性反应离子蚀刻独立可以完成清洗活化等工作。

等离子体限制环将等离体直接聚焦到晶片上，以加速蚀刻，提供均匀的等离子覆盖，并将等离子与晶片本身相隔离，而不是将其与周围区域相隔离。由于提高蚀刻率的能力，而无需提高电极温度或提高夹头的偏置。此环由绝缘非导电材料制成，铝等离子体与铝之间的导电路径*于晶片区域。在环面胶带和框架片之间有2mm的间隙。因为不存在等离子体产生或在晶片和带子底部，所以*限度地减少了底切和分层，并且在晶片表面不会有溅射或带子沉积。等离子体蚀刻系统专为*的蚀刻应用而设计，例如：可用于封装的介电材料，去除氧化物、氮化物、聚酰亚胺、硅、金属、ILED或IC器件，去除环氧树脂用的中间膜，去除光致抗蚀剂用的去除。

此外，真空等离子清洗系统底盘还可作为集成的安全外壳使用，用于容纳等离子体室、控制电子设备、13.56MHz射频发生器和自动匹配网络(系统外仅有真空泵)。透过可互相锁定的门或可拆卸的面板提供维持通道。

采用优质的氧化铝阳极材料和陶瓷材料制成的真空等离子清洗系统，具有优异的耐久性。等离子腔体室可配置“6”或“8”电源电极甚至更多，以适应各种晶片尺寸、零件、IC封装及其它元件。

高性能等离子体蚀刻用于故障分析或MEM和LED器件制造，真空等离子清洗系统适用于各种工艺气体，包括：Ar，O2，H2/成形气体，He，CF4和SF6。

真空等离子清洗机系统清洗活处理特点及优点：

(1)触摸屏控制和图形用户界面，提供实时的过程数据和反馈。

(2)采用13.56MHzRF生成 和自动匹配网络，提供了很好的过程重复性。

(3)在等离子体室中集成的温度控制环是可控制的。