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代理商FQA28N50: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,500 V,28.4 A,160 mΩ ,TO-
3P
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此*技术特别适用于降低导通电阻,提供开关性能,可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
保护IC:
移动电源IC:
驱动IC:
音频功放IC:
触摸IC:
稳压IC:
MOS管:
三极管:
二极管:IN4001-IN4007/M1-M7系列、1N4148、
1N5817-1N5819/SS12-SS56系列、
1N5400系列、SF10-30系列、
SR10-50系列、RS1A-RS3M系列
US1A-US3M系列、ES1A-ES3J系列
为广大客户提供电子元器件一站式配套采购专业供应商