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雾化器60V30A低压结MOS管HC037N06L

型号
东莞惠海半导体有限公司

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驱动芯片 中低压场效应管,车灯IC,100V降压恒压IC
  东莞惠海半导体有限公司经销批发的中低压mos、降压恒压芯片、降压恒流芯片、降压恒压恒流芯片、主营LED汽车灯市场、LED电动车灯市场、LED摩托车灯市场、电动车GPS定位器市场、POE交换机市场及升压恒压芯片消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司与多家零售商和代理商建立了*稳定的合作关系。深圳市惠新晨电子有限公司经销的中低压mos、降压恒压芯片、降压恒流芯片、降压恒压恒流芯片、升压恒压芯片品种齐全、价格合理。深圳市惠新晨电子有限公司实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。深圳市惠新晨电子有限公司从成立初期代理其他公司的产品的同时就投入大量资金蓄力于电源管理芯片的研发设计,专注于LED、汽摩电子、中低压mos等领域产品,公司有国内*电源工程师及芯片设计工程师,具有丰富的电子产品研发经验,可充分配合客户需要提供方案。公司始终和LED和电源行业内的公司和人才合作交流,熟悉市场应用的每个细节及客户的切身需求,产品一直保持高性价比。公司专注于中低压DCDC照明产品及中低压DCDC电源转换的应用探索,成功开发多款性能*的DCDC恒流恒压芯片,产品涵盖升压恒流、升压恒压、降压恒流、降压恒压、降压恒流恒压、升降压恒流、线性恒流,并在汽车照明、电动车照明等领域占据较大的*。
 
  我司中低压MOS管使用国内外的沟槽工艺,比较同等8寸片晶圆具有多的颗粒数好的性能,确保了产品性能也降低了产品的终端成本。产品涵盖150V系列、120V系列、100V系列、60V系列等。
 
  我们一直保持与国内*的晶圆厂、封装厂及测试厂合作,对产品品质精益求精,力把品质关。为客户提供的不仅仅是的产品,还有完善的解决方案和优质的服务,相信客户会成为我们的伙伴并一起取得巨大的商业成功。本公司常年备有大量的现货库存,并接受订货服务。
 
  深圳市惠新晨电子一直致力于建设高标准的芯片设计队伍、高标准的产品应用队伍、高标准的销售队伍,保持产品的不断创新,力争为客户带来大有竞争力的产品。为创造一个绿地球而努力,为今天为明天,惠新晨与您一起努力!
 

详细信息

深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能*

型号:HC037N06L参数:60V30A ,类型:N沟道场效应管,内阻30mR, 低结电容650pF, 封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

HC037N06L丝印图

雾化器60V30A低压结MOS管HC037N06L

雾化器60V30A低压结MOS管HC037N06L

 

多型号如下:

型号:HC240N10LS N沟道场效应管,丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR 

型号:HC160N10LS N沟道场效应管  丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装,内阻155mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC610            N沟道场效应管    100V6A  6N10  SOT23-3L     内阻80mR

型号:HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装,内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等

型号:HC080N10L    N沟道场效应管  100V17A(17N10)TO-252封装, 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC021N10L    N沟道场效应管    100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR,可用于工控电源

型号:HC080N10LS  N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装                内阻68mR

型号:HC15N10       N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装,  内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装,   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等

型号:HC012N06LS  N沟道场效应管 55V12A  SOP-8封装                   内阻13mR

型号:HC037N06L    N沟道场效应管  60V30A(30N06)TO-252封装,     内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC037N06LS  N沟道场效应管  60V30A     SOP-8封装                 内阻30mR

型号:HC080N06L    N沟道场效应管  60V17A 15N06 TO-252封装,      内阻70mR

型号:HC080N06LS   N沟道场效应管 丝印HC606  60V6A     SOT23-3封封装           内阻90mR

型号:HC706           N沟道场效应管  60V7A  SOP-8封装                             内阻80mR

型号:HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A TO-252                         内阻20mR

型号:HC3600M       N沟道场效应管  30V8A       SOT23-3封装             内阻22mR

型号:HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A    SOT23-3封装             内阻30mR

 

【场效应管的作用】

1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关。

场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。

有些场效应管的源和漏可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。

场效应管分成结型和缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。

 

深圳市宝安区西乡街道宝源路1053号资信达大厦

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