HC037N06L低功耗低内阻60V30A场效应管

深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能*

型号:HC037N06L参数：60V30A ，类型：N沟道场效应管，内阻30mR， 低结电容650pF， 封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强 

HC037N06L低功耗低内阻60V30A场效应管

HC037N06L低功耗低内阻60V30A场效应管

多型号如下：

型号：HC240N10LS N沟道场效应管，丝印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封装，内阻200mR 

型号：HC160N10LS N沟道场效应管  丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装，内阻155mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号：HC610            N沟道场效应管    100V6A  6N10  SOT23-3L     内阻80mR

型号：HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装，内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等

型号：HC080N10L    N沟道场效应管  100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号：HC021N10L    N沟道场效应管    100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR，可用于工控电源

型号：HC080N10LS  N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装                内阻68mR

型号：HC15N10       N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装，  内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号：HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装，   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等

型号：HC012N06LS  N沟道场效应管 55V12A  SOP-8封装                   内阻13mR

型号：HC037N06L    N沟道场效应管  60V30A(30N06)TO-252封装，     内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号：HC037N06LS  N沟道场效应管  60V30A     SOP-8封装                 内阻30mR

型号：HC080N06L    N沟道场效应管  60V17A 15N06 TO-252封装，      内阻70mR

型号：HC080N06LS   N沟道场效应管 丝印HC606  60V6A     SOT23-3封封装           内阻90mR

型号：HC706           N沟道场效应管  60V7A  SOP-8封装                             内阻80mR

型号：HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A TO-252                         内阻20mR

型号：HC3600M       N沟道场效应管  30V8A       SOT23-3封装             内阻22mR

型号：HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A    SOT23-3封装             内阻30mR

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双型器件。

有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、大电压、大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

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