民用防盗报警器不可忽略的常识
一般的防盗报警系统通常由前端探测器、中间传输部分和报警主机组成，当然这只是指一般的防盗报警系统，如果你碰到的是大型的防盗报警系统，那么这类防盗报警系统则是由前端部分，传输部分和后端部分组成，其中前端部分是指：探测器和报警主机，传输部分是指：从报警主机到接警机之间是如何传输的，后端部分是指：中心接警部分。
2、防盗报警系统传输方式?
防盗报警系统的传输方式主要是有线和无线这两种传输方式。
3、防盗报警系统防区类型?
防盗报警系统主要的防区类型包括：出入防区、即时防区、内部防区、24小时防区等几类
4、外出布防是指什么?
外出布防是指用户全部离开防盗报警系统保护区域时对系统布防的一种模式。在外出布防模式下，防盗报警系统中所有防区均处于工作状态
5、留守布防是指什么?
留守布防是指用户处在报警系统内部保护区域时对系统布防的一种模式，在此布防模式下，系统中的所有周边防区(如室外的周界探头、窗磁、阳台的幕帘式探头等)处于布防状态，而系统中的内部防区(一般是安装在室内的红外探头)会自动被系统旁路，内部人员可在此区域内自动活动而不会产生报警。
6、进入延时是指什么?
进入延时是指人员在外面进入出入防区后，出入防区即被触发，但此时系统不会立即发生报警，而是处于进入延时状态中(一般也为几十秒钟)。在此过程中你必须立即对报警系统进行正确撤防，否则进入延时结束后系统将产生报警。
7、外出延时是指什么?
外出延时是指系统进行了布防操作后留给操作人员离开出入防区的一段延时时间(一般几十秒钟)。你必须在这段时间内离开出入防区，否则延时结束后你将触发该出入防区。
8、旁路是指什么?
旁路是指在布防时使某个或某些防区不加入布防。
9、探测器的类型?
探测器的类型可以分为：
探测器分很多种红外探测器、震动感应探测器、燃气泄露探测器、烟雾探测器、温度探测器、门磁探测器等等
10、主动红外探测器工作原理?
主动红外探测器安装后数秒种已适应环境，在无人或动物进入探测区域时，现场的红外辐射稳定不变，一旦有人体红外线辐射进来，经光学系统聚焦就使热释电器件产生突变电信号，而发出警报。
11、被动红外探测器工作原理
当有入侵者通过探测区域时，探测器将自动探测区域内人体的活动。如有动态移动现象，它则向控制主机发送报警信号
1、LED芯片的制造流程是怎样的？
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间zui小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10？4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响？
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9mil、…，13∽22mil，40mil等不同尺寸？尺寸大小对LED光电性能有哪些影响？
LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。
4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片？为什么？
用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求？为什么？
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，zui后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
“从全国来说，LED芯片产能有过剩的苗头，但对于广东省来说，当地上游环节属于缺失的，我们希望政府加大对上游的支持力度。”广东甘化证券部人士表示。