绝缘子污秽测量的方法
时间：2012-04-27 阅读：2336
a．污层电导率定义为绝缘单位表面污层的电导值，实际上是由加在污层上的电流与电压之比求出的电导与绝缘子的形状系数相乘求得。为测量污层表面电导，应在污层饱和受潮条件下，在绝缘子上加适当高的工频电压，测其泄漏电流，从而求得电导G=I／U，但上述测量分散性较大，受污秽分布不均匀的影响也较大。另外，测量时要用容量较大的电源，测量比较麻烦。
b．从物理意义上讲，污层的局部表面电导率和表面电导率是同一参数，其物理意义相同，差别仅在于测量方法。测量方法虽然与等值盐密相同，但电导率受温度变化影响较大。
c．泄漏电流试验作为表示污秽度的参数较多：运行电压下泄漏电流的zui大脉冲幅值；超过一定幅值的泄漏电流脉冲数；临闪前zui大泄漏电流值。测量这些参数需要对绝缘子施加一定电压，现场试验不方便。
d．污闪电压及污闪梯度是表征绝缘子性能的zui直接的污秽参数，现场污秽试验还能真实地测得绝缘子污闪性能，但由于自然污秽和积污水平达到临界状态与引起污闪的气象条件的产生不一定同时存在，往往是污秽已经达到临界水平但没有出现充分的潮湿条件而测量不到临界污闪电压，因而进行闪络电压的测量还应结合其他污秽度参数的测量。试验设备容量大，试验不方便，现场不具备条件。
e．绝缘子等值盐密（外绝缘的单位表面积上的等值盐量）测量方法是用一定量的蒸馏水，将一定面积瓷表面上的污秽物全部清洗掉，用等值盐密度测试仪测量污秽溶液的盐密值ESDD。YM3200直读式盐密仪可以直接测量读取ESDD值。等值盐密可直观衡量污秽程度，不受温度、电压、试验设备容量和试验场地的限制。
就现有技术、设备和操作的可行性等来看，现场一般采取测量绝缘子等值盐密衡量绝缘子污秽程度。等值盐密是对绝缘子污闪的客观反映，是判断绝缘性能的判据之一，可直观衡量污秽程度，不受温度、电压、试验设备容量和试验场地的限制，而且便于现场操作。