OCH1620 全极性高频低功耗霍尔开关元件
OCH1620全极性霍尔效应传感器集成电路采用混合信号CMOS技术制造。它由两个霍尔板和一个CMOS输出驱动器组成,主要用于电池供电。元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器、互补推挽输出。当磁铁磁性大于BOP触发值,元器件输出低电平关闭,磁性小于BRP释放值时,霍尔元件输出高电平导通。霍尔传感器OCH1660通过周期性休眠和唤醒工作,达到降低霍尔IC功耗的作用。 参考价面议OCH1660 全灵敏低功耗霍尔开关
OCH1660全极性霍尔效应传感器集成电路采用混合信号CMOS技术制造。它由两个霍尔板和一个CMOS输出驱动器组成,主要用于电池供电。元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器、互补推挽输出。当磁铁磁性大于BOP触发值,元器件输出低电平关闭,磁性小于BRP释放值时,霍尔元件输出高电平导通。霍尔传感器OCH1660通过周期性休眠和唤醒工作,达到降低霍尔IC功耗的作用。 参考价面议OCH1661 全极超低功耗1.9ua霍尔开关
全极低功耗霍尔开关,推挽式输出,内置上拉电阻,高灵敏度。 霍尔元件OCH1661是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC,元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,互补推挽输出。这款IC采用了的斩稳波技术,因而能够提供准确而稳定的磁开关点,内部的受控时钟机制为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,霍尔传感器OCH1661通过周期性休眠和唤醒工作,达到降低功耗的作用。 参考价面议AH401F 双极锁存霍尔元件
AH401F采用高压bipolar工艺制程,是一款耐高压双极霍尔开关传感器。该芯片内部由电压稳压单元,霍尔电压发生器,差分放大电路,温度补偿电路,集电极开路输出电路组成。输入磁感应强度,输出为数字电压信号。可耐高电压冲击,具有的抗噪能力。工作温度范围为-40℃至150℃,工作电压从3.8V到60V,可驱动电流30mA。适用于各种消费类电子、汽车和工业控制等领域。提供TO92S和SOT23-3L两种封装形式,且所有封装都符合RoHS标准。 参考价面议AH421 单极性高电压霍尔开关
单电压霍尔开关、高灵敏度。单极霍尔元件AH421是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计和生产,包括霍尔电压发生器,可在3.8V至40V的电源电压下工作的稳压器,反向电压保护电路,温度补偿电路,小信号放大器,施密特触发器和集电极开路输出。该传感器相应于一极,当磁场强度大于工作点Bop时,将输出低电平,直到磁场强度低于释放点Brp,输出高电平。 参考价面议AH464 全极性高频低功耗霍尔元件
全极小功耗霍尔开关,推挽式输出,内置上拉电阻,高灵敏度。霍尔元件AH464是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC,是南极和北极敏感型低功耗全极性霍尔效应开关,器件内部集成了电压调节器,霍尔电压发生器,小信号放大器、斩波稳压器,施密特触发器和CMOS输出驱动器。该传感器温度稳定性好、抗应力强、灵敏度高等特点,工作电压2.5-5.5V。 参考价面议AH463 全灵敏低功耗霍尔开关
全极小功耗霍尔开关,推挽式输出,内置上拉电阻,高灵敏度。 霍尔元件AH463是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC,元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,互补推挽输出。采用了的斩稳波技术,因而能够提供准确而稳定的磁开关点,内部的受控时钟机制为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,霍尔传感器AH463通过周期性休眠和唤醒工作,达到降低功耗的作用。该传感器温度稳定性好、抗应力强、灵敏度高。 参考价面议OCH184 高灵敏度锁存型霍尔开关
OCH184高灵敏度锁存型霍尔开关 参考价面议OCH183 高灵敏度锁存型霍尔开关
OCH183高灵敏度锁存型霍尔开关 参考价面议OCH147H 高灵敏度锁存型霍尔开关
OCH147H高灵敏度锁存型霍尔开关 参考价面议OCH15300P 全极宽电压高灵敏霍尔开关
全频霍尔开关OCH1510是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC,元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,开漏极输出。霍尔传感器同时感应磁铁南极和北极,当磁场强度大于工作Bop触发值,降输出低电平,直到磁场强度低于释放值Brp,霍尔芯片输出高电平导通。 参考价面议OCH1510 全极宽电压高灵敏霍尔开关
全频霍尔开关OCH1510是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC,元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,开漏极输出。霍尔传感器同时感应磁铁南极和北极,当磁场强度大于工作Bop触发值,降输出低电平,直到磁场强度低于释放值Brp,霍尔芯片输出高电平导通。 参考价面议