Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120-苏州上器试验设备有限公司手机版

详细介绍

的瞬态光电导技术

QSSPC技术对于监测多晶硅硅片，掺杂剂的扩散，和低寿命样本是理想的技术。这种方法补充了瞬态光电导技术的运用。瞬态光电导技术在这台设备上也是标准的。

QSSPC寿命测量

QSSPC寿命测量也产生隐含的开路电压（与lllumination)曲线，这可以与an1-v曲线在太阳能电池过程的各个阶段进行比较。

优秀的软件数据处理系统

Sinton设备的分析能为每个晶片产生校准载流子注入水平，所以你可以以一个物理上的方式解读寿命数据。每次测量都会显示和记录特定的参数。

WCT系统功能

单击即可锁定晶硅片的关键参数，包括方块电阻、少子寿命、陷阱密度、发射极饱和电流密度和暗电压

•制造过程的逐步监测和优化

•监测初始材料质量

•晶片加工过程中检测重金属杂质

•评估表面钝化和发射极掺杂扩散

•使用隐含V测量评估过程引起的分流

项目	内容
测量参数	少子寿命、电阻率、发射极饱和电流密度、陷阱浓度、标准太阳下Voc
寿命测量范围	100nm-10ms
测量（分析）模式	QSSPC，瞬态和归一化寿命分析
电阻率测量范围	3-600（未掺杂）Ohms/sq
可得到的偏压范围	0-50suns
可得到的光谱	白光和红外光
感应范围	直径40mm
样品尺寸，标准配置	标准直径：40-230mm
硅片厚度范围	10-2000um