Danisense 高精度磁通门电流传感器DS 50ID-大连通测仪器有限公司手机版

详细介绍

产品特点

线性误差8 ppm

磁通门，闭环补偿技术，具有固定的激励频率和二次谐波零通量检测，可提供的精度和稳定性

工业标准DSUB 9针连接

绿色二极管用于正常运行指示

全铝制外壳，具有出色的EMI屏蔽能力和扩展的工作温度范围

27.6mm大孔径，用于电缆和母线

应用范围：

高能物理加速器

MRI（核磁共振）设备的梯度放大器

稳定的电源

精密驱动器

电池测试与评估系统

功率测量和功率分析

电流校准目的

参数说明	符号	单位	最小	类型
额定初级电流AC	I_PN AC	Arms			50
额定初级电流DC	I_PN DC	A	-75		75
测量范围	I_PM	A	-150		150
初级与次级变比	N1:N2		1:500		1:500
线性误差	Ɛ_L	ppm	-8		8
偏置电流（包括地磁场）	I_OE	ppm	-80		80
DC-10Hz 精度 @25度 (= ƐL + IOE )	accƐ	ppm	-88		88
AC 增益误差10Hz to 5kHz	Ɛ_G	%			±0.04
操作温度范围	Ta	℃	-40		85
电源供电电压	Uc	V	±14.25		±15.75

Ta = 23°C时的电气规格，电源电压=±15V 除非另有说明

参量	符号	单位	最小	典型		注释
额定初级电流AC	I_PN AC	Arms			75	参见图1和图2
额定初级电流DC	I_PN DC	A	-75		75	参见图1
测量范围	I_PM	A	-150		150
过载能力	I_OL	A			1500	不执行测量，100mS
额定次级电流	I_SN	mA	-150		150	额定初级直流电流
初级与次级变比			1:5000		1:5000
测量阻抗	R_m	Ω	0		12	参见图1
线性误差	Ɛ_L	ppm	-8		8	PPm 相对额定电流
线性误差	Ɛ_L	μA	-1.2		1.2	μA相对次级电流
偏置电流	I _OE	ppm	-80		80	PPm 相对额定电流
偏置电流	I _OE	ppm	-12		12	μA相对次级电流
DC -10HZ 整体精度@25℃（ε_L+ I _OE）	accƐ	PPm	-88		88	PPm 相对额定直流电流
温度系数	TC _IOE	Ppm/K	-0.4		0.4	PPm 相对额定电流
温度系数	TC _IOE	μA/K	-0.06		0.06	μA相对次级电流
带宽	f(-3dB)	K HZ	1000			参见图3
幅值误差 10HZ-5KHZ 5KHZ-100KHZ 100K HZ-1000KHZ		%			0.01% 1.00% 20.00%	%相对于额定电流
相位偏移 10HZ-5KHZ 5KHZ-100KHZ 100K HZ-1000KHZ	θ	°			0.1° 0.5° 5°
相对于I_PN 的响应时间	tr@90%	μs		1		di/dt =100A/μs
噪声 0-100HZ 0-1KHZ 0-10KHZ 0-100KHZ	noise	Ppm rms			0.08 0.16 1.6 6.00	测量二次电流
磁通门激励频率	f_EXC	K HZ		32.5
初级导体上的感应均方根电压		μVrms			5
电源供电电压	Uc	V	±14.25		±15.75
正向电流消耗	I_pS	mA	93	97	104	加上IS
反向电流消耗	I_nS	mA	85	91	96	加上IS
操作温度	Ta	℃	-40		85
稳定性
稳定性随时间偏移		Ppm/month	-0.8		0.8	PPm 相对额定电流
稳定性随时间偏移		Ppm/month	-0.12		0.12	μA相对次级电流
偏移量随垂直外部磁场变化		μA /mT		2.4	9.6	（垂直于母线）μA表示次级电流
偏移量随水平外部磁场变化		μA /mT		9.6	24	（平行于母线）μA表示次级电流
偏移随电源电压的变化而变化		μA /V		0.048	0.48	μA表示次级电流
电源偏移量变化电压跟踪		μA /V		0.144	0.48	μA表示次级电流