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实验室真空热压烧结炉 304不锈钢水冷结构
¥16800霍尔效应测试仪高低温磁场型半导体测量设备
¥280000锦正茂霍尔效应测试系统JH60D低温型测量仪
¥270000高阻型 霍尔效应测试系统材料测试仪器
¥260000霍尔效应测试仪—低温型 行业仪器设备
¥280000美国Lake Shore 211温度监视器
¥12000定制实验室电源电磁铁励磁驱动电源
¥15000美国bell 6010高斯计/特斯拉计磁场测量仪
¥18000美国F.W.BELL贝尔8010霍尔效应高斯计
¥18000贝尔5170高斯计特斯拉计手持式磁场测量仪
¥20000VSM振动样品磁强计材料磁性能测量仪器
¥15000电输运性质测量系统材料性质研究设备
¥300000DT640硅二极管温度传感器
锦正茂硅二极管温度传感器DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
锦正茂硅二极管温度传感器DT64-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有的优势。
※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;
※ 符合标准曲线,具有良好的互换性;
※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装;
※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度;
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线;
※ 多种可选封装方式;
※ 温度范围:3K~500K;
※ 标准曲线:DT640
※ 推荐激励电流:10µA±0.1%;
※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。
※ 反向电压上等高达:75V;
※ 损坏前电流上等高达:长时间200mA 或瞬间1A;
※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K;
※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K;
※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用;
※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用;
典型相应曲线以及灵敏度
等级或标定范围 | 温度范围 | 标定范围 | 精度 |
A | 3K~500K |
| ±0.25K |
B | 3K~500K |
| ±0.5K |
C | 3K~500K |
| ±1K |
3L | 3K~325K | 3K~330K | ±0.1K |
3H | 3K~500K | 3K~505K | ±0.1K |
70L | 70K~325K | 65K~330K | ±0.1K |
70H | 70K~500K | 65K~505K | ±0.1K |
温度计精度=(校准不确定度2 + 重复性2)0.5 |