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核心技术:
基于第三代半导体自主研发,面向痕量和超痕量元素分析的高灵敏度TXRF技术的基础研究, 涉及新型光学设计和小型化仪器开发, 制样方法、基体效应研究以及与多方法联用的研究。
TXRF技术原理示意图 | 基于波导光学TXRF结构示意图 |
波导管(waveguide) 结构示意图 | Glancing Angle Dependence Of Measured Fluorescence Intensity Of Si And Ca |
For Multi-element Energy Scale Test Spectrum(x-ray Tube Was Operated At 20kv And 500μa) | Matrix Effect(Absorption And Enhancement) |
Single element | Cr | Mn | Co | Cu | Ga | Sr | Pb |
LLD/ng | 0.029 | 0.021 | 0.055 | 0.049 | 0.052 | 0.124 | 0.362 |
RSD(%, n=7) | 0. 72 | 0.81 | 121 | 1.49 | 1.14 | 2.63 |
Multi-element | S | Sc | V | Mn | co | Cu | Ga | As | Y |
LLD/ng | 0.63 | 0.16 | 0.15 | 0.13 | 0.12 | 0.16 | 0.18 | 0.31 | 0.88 |
Other report | 1.77 | 0.87 | 0. 53 | 0.35 | 0.23 | 0.43 | 0.27 | 0.50 | 0. 37 |