俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统
俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统，又称俄歇电子能谱AES及低能电子衍射LEED样品表面深度分析系统。基于俄歇电子能谱AES、低能电子衍射LEED、及氩离子溅射深度分布的分析系统，完成对薄膜及合金的元素组成和深度分布的分析。
非接触式测量薄膜及合金元素组成。
带样品预抽真空室 （load-lock腔室）。

特性：
-对原子结构，元素组成和厚度分析达到“亚纳米级”精度
-大范围样品分析
-半自动化操作


系统特性
俄歇电子能谱AES分析器
分析器型号-延迟型区域分析器，自带同轴电子枪
能量分辨率：<5%
工作距离 10mm
检测器: 1e7至1e8增幅范围的电子倍增器通道
安装法兰-4.5英寸O.D.标准CF法兰（NW63CF)

电子枪：
型号 ：带可调焦距和束斑直径的双静电透镜
束流电压：0-3KV
束流电流：50uA
束流直径：800um
灯丝：钨灯丝
磁罩：带前置保护壳的Mu罩

深度离子溅射枪
离子源  在磁场内电子冲击形成离子
离子化阴极  钨-铼灯丝
直接安装于70mmO.D.CF法兰
束流电流：10 uA
束流能量：0-3keV
束流尺寸;直径范围5至25mm
束流均匀度：<5%
气体输入：经过泄漏阀气体直接输入至离子源
安装法兰：23/4英寸（70mm）O.D.CF法兰

样品传递操作
样品尺寸：尺寸从10mm-20mm
样品置入：单个样品置入
样品传输：线型磁动样品传输臂

真空系统
腔体：100mm焊接超高真空腔体（304不锈钢）
真空泵：60L/sec离子泵和50l/sec的分子泵，配备匹配的前级泵
真空规：宽量程真空规

真空兼容：超高真空材料
烘烤：真空下可烘烤至250度