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| EPP2000 高分辨率光谱仪 | 预估分辨率 | |||||||
| 型号 | 波长范围(nm) | 光栅刻划线(g/mm) | 一次摄谱范围 | 线色散倒数 | Slit-25 nm res. | Slit-14 nm res. | Slit-7 nm res. | |
| UV3 | 200-340 | 1800 | 140 | 0.068 | 0.30 | 0.20 | 0.10 | |
| UV4 | 200-300 | 2400 | 100 | 0.048 | 0.21 | 0.14 | 0.07 | |
| NIR2 | 900-1075 | 1200 | 175 | 0.085 | 0.26 | 0.17 | 0.09 | |
| NIR3 | 750-850 | 1800 | 100 | 0.049 | 0.15 | 0.10 | 0.05 | |
| NIR4 | 500-580 | 2400 | 80 | 0.039 | 0.12 | 0.08 | 0.04 | |
| UVN-SR | 200-1100 | *300 | 900 | 0.440 | 1.50 | 1.00 | 0.50 | |
| 动态范围: 2000:1 with 6 decades | 尺寸: 44 x 94 x 150 mm |
| 光谱分辨率: see model table - to 0.1nm | 功耗: 100 mA @ 5 VDC |
| 探测器类型: 2048 pixel CCD | 接口: USB-2 and/or EPP Parallel |
| 探测器范围: 200-1200nm | 信噪比: 1000:1 CCD |
| 像素尺寸: 14um x 200um | 积分时间: 1ms to 65s |
| AD转换: 16-bit or 14-bit | 狭缝大小: 7, 14, 25, 50, 100, 200um |
| 光栅刻划线g/mm: 300, 600,1200,1800, 2400 | 杂散光: <.1% at 435nm;<.05% at 600nm |
