818-BB 偏置光接收器

818-BB 系列偏置光电探测器是颇具成本效益的诊断工具，适合多种高速应用，例如查看调 Q、锁模或快速调制激光器的信号以及皮秒激光器对准。

硅、紫外硅、GaAs 和 InGaAs 版本

上升时间可达 35 ps

放大探测器可提供高达 26 dB 的增益

光纤耦合选件使对准更加容易

对比	型号
	818-BB-21偏压光电探测器，300-1100 nm，硅，1.2 GHz
	818-BB-27偏压光电探测器，200-1100nm，硅，200 MHz
	818-BB-30偏压光电探测器，1000-1600nm，InGaAs，2 GHz
	818-BB-31偏压光电探测器，1000-1600nm，InGaAs，1.5 GHz，FC 输入插孔
	818-BB-35偏压光电探测器，1000-1650nm，InGaAs，12.5 GHz
	818-BB-36偏压光电探测器，1475–2100 nm，扩展型 InGaAs，12.5 GHz
	818-BB-36F偏压光电探测器，1475-2100 nm，扩展型 InGaAs，12.5 GHz，FC/UPC
	818-BB-40偏压光电探测器，300-1100nm，硅，25 MHz
	818-BB-45偏压光电探测器，400-900nm，GaAs，12.5 GHz
	818-BB-45AF放大偏压光电探测器，交流耦合，400-900nm，GaAs，9 GHz，FC/UPC

产品规格

Silicon Photodetectors

型号	818-BB-21	818-BB-27	818-BB-40
探测器材料	Silicon	UV Enhanced Silicon	Silicon
偏置电压/偏压	9 V	24 V	24 V
探测器类型	PIN	PIN	PIN
探测器直径	0.4 mm	2.55 mm	4.57 mm
接收角	10°	50°	60°
波长范围	300-1100 nm	200-1100 nm	350-1100 nm
3 dB 带宽
上升时间	<300 ps	3ns	<30 ns
响应度	0.47 A/W @ 830 nm	0.56 A/W @ 830 nm	0.6 A/W @ 830 nm
输出接头	BNC	BNC	BNC
NEP	<0.01 pW/√Hz	<0.1 pW/√Hz	<0.09 pW/√Hz
饱和电流	3 mA	2.5 mA	2 mA
结电容	<1.5 pF	<25 pF	<45 pF
反向击穿电压	20 V	150 V	50 V
螺纹类型	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

GaAs and InGaAs Photodetectors

型号	818-BB-30	818-BB-31	818-BB-35	818-BB-45	818-BB-51
探测器材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs	GaAs	Extended InGaAs
偏置电压/偏压	6 V	6 V	6 V	3 V	3 V
探测器类型	PIN	PIN	PIN	PIN	PIN
探测器直径	0.1 mm	0.1 mm	0.032 mm		0.040 mm
接收角	20°	20°	30°	15°	20°
波长范围	1000-1600 nm	1000-1600 nm	1000-1650 nm	500-890 nm	830-2150 nm
3 dB 带宽	DC to 2 GHz	DC to 2 GHz	DC to 15 GHz	DC to 12.5 GHz	DC to 10 GHz
上升时间	175 ps	175 ps	25 ps	30 ps	28 ps
响应度	0.8 A/W @ 1300 nm	0.9 A/W @ 1300 nm	0.88 A/W @ 1550 nm	0.53 A/W @ 830 nm	1.3 A/W @ 2.0 µm
输出接头	BNC	BNC	SMA	SMA	SMA
NEP	<0.1 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz	<0.04 pW/√Hz	<0.02 pW/√Hz at 830 nm	<0.44 pW/√Hz @ 2000 nm
饱和电流	5 mA	10 mA	10 mA	10 mA
结电容	<0.75 pF	<1.25 pF	<0.12 pF	<0.3 pF
反向击穿电压	25 V	25 V	25 V	30 V
螺纹类型	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

特征

硅版本和紫外增强硅版本

818-BB-20、-21 和 -40 由自由空间、小面积和大面积硅探测器组成，上升时间范围在 300 ps-1.5 ns 之间。除 818-BB-40 之外，每个装置都包括一个内置的偏置电源，由标准的 3 V 锂电池和 50 欧姆 BNC 连接器输出组成。电池可轻松更换，在不使用时，断开探测器与示波器输入的连接可以延长电池的使用寿命。818-BB-40 附带一个 24 VDC 的外接电源。818-BB-27 由增强了紫外响应的硅探测器构成，因此非常适用于 Nd:YAG、Nd:YLF 或其他钕玻璃激光器四次谐波以及。此外，其宽阔的有效面积和快速的响应时间使其成为 200 至 1100 nm 波段范围内的通用偏置探测器。为了获得快速响应，此探测器配备了一个 24 VDC 外部电源。

UV-Enhanced Silicon Free Space Detector

The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.

InGaAs Free Space Detectors

The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.

GaAs 和 InGaAs 版本

818-BB-30、-31、-35、-45 和 -51 由自由空间、小面积和大面积 GaAs 或 InGaAs 探测器组成，上升时间范围在 300 ps-1.5 ns 之间。每个装置都包括一个内置的偏置电源，由标准的 3 V 锂电池和 50 欧姆 BNC 连接器输出组成。电池可轻松更换，在不使用时，断开探测器与示波器输入的连接可以延长电池的使用寿命。

光学接杆安装

位于 818-BB 偏置光接收器底部的 8-32 螺纹孔可用于安装光学接杆。

注意进行 ESD 防护

这些探测器非常容易受到静电释放 (ESD) 的影响而造成损坏。在拆包和操作这些设备时，请使用 ESD 保护措施，例如 FK-STRAP。

上升时间可达 25 ps

818-BB-35 和 818-BB-45 光电二极管探测器模块为 12.5 GHz 带宽的超快速测量提供了低成本的解决方案。这些探测器适用于调 Q 和超快激光输出分析需要探测器上升时间 <25 ps（对于 818-BB-45 则 <30 ps）的应用。这些探测器还使用 3 V 锂电池（已提供）。