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LN1139低压差可编程输出 CMOS 电压稳压器
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南麟NP4N10MR-G系列N 100V 4A封装SOT23-3L
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描述
NP4N10PR采用*的沟槽技术,提供出色的RDs(ON)、低栅电荷和高密度单元设计,实现超低导通电阻。该设备适合用作负载开关或PWM应用。
一般特征
Vos=100V,lo=4A
(ON(典型)=
@Vas=10V
RDS(开)(典型)=
@VGs=4.5V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装