SLVU2.8-4.TBT 单向, 400W, 15V, 8针 SOIC封装

EPD TVS 二极管，用于 ESD 和闩锁保护，SLVU2.8 系列

400 W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)
瞬时保护，用于高速数据线路至
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点）
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
IEC 61000-4-5（雷电）24A (8/20μs)
低电容
低泄漏电流
低工作和钳位电压

SLVU2.8HTG二极管TVS阵列 

SLVU2.8HTG 单向 TVS 二极管, 600W, 15V, 3针 SOT-23封装

TVS 二极管阵列，SLVU2.8 系列，

ESD，IEC61000-4-2，±30kV 触点，±30kV 空气
EFT, IEC61000-4-4, 40A (5/50ns)
雷电防护，IEC61000-4-5, 40A (8/20μs)
每条线路 2pF 低电容
低泄漏电流：2.8V 时 1μA（大值）

SLVU2.8HTG超低电容TVS阵列在高浪涌ESD保护中的主要特性与优势总结如下：
1）ESD、IEC61000-4-2、±30kV接触放电/±30kV空气放电；
*ESD保护水平远远超过了IEC61000-4-2标准的保护水平（±8kV）

2）雷击、IEC61000-4-5、40A（tP=8/20μs）
*高级雷击保护有助于满足符合法规标准的设计要求

3）每个I/O仅2pF（典型值）
*低电容能够将信号衰减程度降至低水平，特别是针对1GbE界面的应用

1. 超低的动态电阻仅约0.4Ω