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太赫兹发生器
TeraSense太赫兹发生器 (IMPATT 二极管)主要由 0.6 um transit region的双硅漂移二极管制成，安装在铜制散热器内端。
双硅漂移二极管: a heavily doped (p+)-region, amoderately doped pregion, a moderately doped n-region, and a heavily doped(n+)-region. The (p+) — and (n+) — 这些区域允许电气连接到到外部电路. 设备依靠电路内产生的负电压来产生和维持输出信号。
Terasense现在提供升级版的太赫兹源。升级后的冲渡二极体配备防护隔离器,大大提高输出功率的稳定性。新的太赫兹源波段可从 100GHz到 100 mW.
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技术参数
型号 | THz source 100 GHz | THz source 140 GHz | THz source 180 GHz | THz source 300 GHz |
参数 | ~ 80 mW output rfpower
| ~ 30 mW output rfpower
| ~ 10 mW output rfpower
| ~ 10 mW output rfpower
|
增强型稳定防护隔离； 典型的谱线宽带可以缩小至1 MHz； 1 μs超快上升/下降TTL 调制； 号角天线和开孔法兰可选； 外部电源适配器24 V,以确保稳定的安培数输入; 2 W输入功率； 1年质保； | ||||
技术参数
型号 | THz source 100 GHz | THz source 140 GHz | THz source 180 GHz | THz source 300 GHz |
参数 | ~ 80 mW output rfpower
| ~ 30 mW output rfpower
| ~ 10 mW output rfpower
| ~ 10 mW output rfpower
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增强型稳定防护隔离； 典型的谱线宽带可以缩小至1 MHz； 1 μs超快上升/下降TTL 调制； 号角天线和开孔法兰可选； 外部电源适配器24 V,以确保稳定的安培数输入; 2 W输入功率； 1年质保； | ||||
