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IGBT 一种是功率半导体器件,用于电力转换、变频,相当于电力电子领域的“CPU”。融合了 BJT和 MOSFET的性能优势,具有高耐压,大电流,低导通损耗等特点。
随着技术的升级,芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小,器件耐压值由600V升至 7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电, 以及新兴的电动汽车、新能源发电等领域。
车规IGBT静态测试系统认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。
那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢?
E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在D一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
E300高电压源测单元
HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(10uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。
设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。
HCPL100型高电流脉冲电源
P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达10A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
P系列脉冲源表
车规IGBT静态测试系统简介
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,p*电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。
产品特点
高电压:支持高达3KV高电压测试;
大电流:支持高达4KA大电流测试;
高精度:支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
技术指标
车规IGBT静态测试系统应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
普赛斯仪表车规IGBT静态测试系统优点
量程范围宽—具有高电压和大电流特性,电压可高达3kV,电流可高达4000A(多模块并联)。
测量精度高—采用多量程设计架构,各量程下均可保证0.1%精度,具有uΩ级精确测量、p*电流测量能力。
模块化测量单元—测量单元采用模块化设计理念,可根据测试需求搭配不同规格测量单元。系统预留有升级空间,后期可添加或升级测量单元,降低整体使用成本。
测试效率高—内置专用开关矩阵夹具,符合国标测试要求,根据测试项目自动切换电路与测量单元,提高测试效率。