半导体功率器件静态测试系统
半导体功率器件静态测试系统

PMST-3000V半导体功率器件静态测试系统

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-03-08 09:41:26
531
属性:
单台PW :高达12V/1000A,可多台并联;CW :高达3000V/100mA;最小分辨率:30uV/10pA;
>
产品属性
单台PW
高达12V/1000A,可多台并联
CW
高达3000V/100mA
最小分辨率
30uV/10pA
关闭
武汉普赛斯仪表有限公司

武汉普赛斯仪表有限公司

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

半导体功率器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA

详细介绍

半导体功率器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFETBJTIGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,p*电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。 

IGBT静态测试方案.jpg产品特点

PMST系统配置

关键参数

备注

P系列
脉冲源表

PW高达30V/10A、300V/1A

栅极特性测试

CW高达300V/0.1A、30V/1A

最小脉冲宽度200uS

HCP系列
大电流脉冲源表

PW高达30V/100A

IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试

CW高达10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脉冲宽度80uS

HCPL系列
高电流脉冲电流源

单台PW高达12V/1000A,可多台并联

最小脉冲宽度50uS

E系列
高电压源测单元

CW高达3000V/100mA

IGBT击穿电压测试

最小分辨率10mV/100pA

测量精度 0.1%

电桥

频率范围:20Hz~1MHz

IGBT各级间电测试

HVP系列提供0~400V直流偏置电压
S系列提供0~30V直流偏置电压

预置偏置电阻100kΩ

矩阵开关

/

电路切换及源表切换

主机

/


测试夹具

根据器件封装形式定制



半导体功率器件静态测试系统应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBTSICGaN

总结裸.jpg


上一篇:病虫害监测系统——一款简单的虫情监测设备2024(万象推送) 下一篇:KTR联轴器RUFLEX Gr. 4 KPL. 1TF 技术参数及应用
热线电话 在线询价
提示

请选择您要拨打的电话:

温馨提示

该企业已关闭在线交流功能