50N06低结电容低内阻SGT工艺MOS稳定高性能

50N06低结电容低内阻SGT工艺MOS稳定高性能

30V 60V 100V 150V系列 SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容
常规型号：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03

东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售。惠海半导体MOS管采用沟槽工艺/SGT工艺，性能优越，品质好，具有低内阻、低结电容、低开启、低温升、转换效率高、开关损耗小、抗冲击能力强等的特点。东莞市惠海半导体有限公司专业30-150V系列中低压NMOS管，*，质优价廉 ，大量现货。 主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装。

惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）

MOS管型号：惠海半导体HG012N06L
MOS管参数：60V50A（50N06）
内阻：11mR（VGS=10V）
结电容：550pF
类型：SGT工艺NMOS

开启电压：1.8V
封装：TO-252
惠海半导体HG012N06L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用

60V50A 50N06 惠海半导体 高性能低结电容SGT工艺N沟道MOS管HG012N06L TO-252封装 高性能 稳定可靠