手机半导体雷击浪涌发生器
手机半导体雷击浪涌发生器
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LSG 8/20手机半导体雷击浪涌发生器

参考价: 订货量:
28000 1
27000 2
26000 5

具体成交价以合同协议为准
2021-10-07 09:21:47
341
属性:
雷击电压范围::0-660V;
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产品属性
雷击电压范围:
0-660V
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东莞市三基检测设备有限公司

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产品简介

1、 雷击浪涌发生器介绍
雷击浪涌发生器SOSIN 8/20专门针对防浪涌保护等半导体器件及通信产品而设计的防浪涌测试产品,产品符合IEC61000-4-5和GB/T17626.5及 GR-1089-CORE等相关标准要求。
2、 产品设计制造依据标准
l GB/T 17626.5-2008《电磁兼容试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验》
lIEC61000-4-5:Testing an

详细介绍

雷击浪涌发生器技术参数

1  雷击浪涌发生器介绍

雷击浪涌发生器SOSIN 8/20专门针对防浪涌保护等半导体器件及通信产品而设计的防浪涌测试产品,产品符合IEC61000-4-5GB/T17626.5 GR-1089-CORE等相关标准要求。

2  产品设计制造依据标准

l GB/T 17626.5-2008《电磁兼容试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验》

lIEC61000-4-5Testing and measurement techniques-Surge immunity test

 

3  产品特点

 7寸彩色触摸屏;

 支持中英文语言,方便不同用户使用;

 内置环境自动检测程序;

4、产品技术参数

1.    主机技术参数

2.    符合标准 GB/T 17626.5IEC61000-4-5GR-1089-CORE

3.    操作方式 7英寸彩色触摸屏

4.    浪涌波形 开路电压波:1.2±30% /50μ±20% 

5.    短路电流波:8±30% /20 μs±20% 

6.    开路电压 2660V±10%

7.    短路电流 1330A

8.    浪涌极性  / 负,正负交替

9.    输出阻抗Ω

10.   输出模式 通电测试、脱电测试

11.   耦合/去耦网络 内置,8A

12.   次数 19999 

13.   间隔时间 39999s

14.   工作电源 AC220V 50/60Hz

15.   环境温度 15 ℃~35 

16.   CDN技术参数

17.   耦合浪涌电压 5~±660V

18.   耦合电容 9uF / 18uF

19.   去耦电感 1.5mH

20.   共模电阻 10Ω

21.   容量 DC 1300V5A

6  雷击浪涌发生器实测波形

1.开路1.2/50μS电压波形

637691951311144216508.jpg


 2.短路8/20μS电流波形

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