Vishay芯片电容器TR3

Vishay芯片电容器TR3

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-07-26 10:43:52
153
产品属性
关闭
北京汉达森机械技术有限公司

北京汉达森机械技术有限公司

初级会员6
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

Vishay芯片电容器TR3
特征
增强电子管的性能

电池(远程/无线)应用的低DCL

关键电气特性的测试规范更加严格

应用程序
电子引爆系统

详细介绍


Vishay芯片电容器TR3

 

 

产品参数:

 

温度(最小摄氏度)100

最高温度(最高Ts)150

(最小Ts到最大Ts)的时间(ts)60120

时间(tp)在规定的5°C以内

分级温度(TC20s 30s

25°C达到峰值温度的时间最多6分钟,最多8分钟。

下降速率(TpTL)最大为6°C/s

电容 范围0.1μF1000μF

电压范围4 V75 V

 

 

特征

增强电子的性能

电池(远程/无线)应用的低DCL

关键电气特性的测试规范更加严格

应用程序

电子引爆系统

 

 

 

Vishay芯片电容器TR3

 

 


上一篇:Comet真空电容CFNA-500AAC/40-KB-G
热线电话 在线询价
提示

请选择您要拨打的电话: