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西安市所在地
CAS:2351847-81-7;TPE-3-CHO
面议CAS:1624970-54-2;TPE-Ph-CHO
面议CAS:1601465-06-8
面议CAS:1289218-74-1
面议
CAS:299914-63-9
面议CAS:2566678-02-0|邻菲罗啉配体
面议CAS:70592-07-3/TPE-Cl
面议CAS:1610858-96-2;H4ETTC;H4TCPE
面议CAS:1420471-57-3H8ETTB
面议CAS:2590863-00-4
面议四羧基四苯乙烯；TPE-(COOH)4
面议TPE-CA ，cas1002339-79-8
面议SiO2/Si外延薄膜
主要性能参数 | |||
晶体结构 | 面心立方 | ||
熔点（℃） | 1420 | ||
密度 | 2.4（g/cm3） | ||
类 型 | N或P | N | P |
掺杂 | / | P(磷) | B(硼) |
膜厚 | 300~ 500nm | ||
电 阻 率 | >1000Ωcm | 10-3~104Ωcm | 10-3~104Ωcm |
E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
尺寸 | 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客户需求，定制方向和尺寸的基片 | ||
厚度 | 0.3-0.5mm、1.0mm | ||
尺寸公差 | <±0.1mm | ||
厚度公差 | <±0.015mm要求可<±0.005mm） | ||
抛光 | 单面或双面 | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
边缘定向精度 | 2°（要求可1°以内） | ||
取向 | <100>、<110>、<111>等 | ||
供应产品目录：
| 硒化金 AuSe | (alpha phase Gold Selenide) |
| 二硒化锆晶体（99.995%） | ZrSe2 (Zirconium Selenide) |
| 二硒化钨晶体（99.995%） | WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 |
| 二硒化钒晶体（99.995%） | VSe2 (Vanadium Diselenide) |
| 二硒化钛晶体（99.995%） | 1T-TiSe2(Titanium Selenide) |
| 二硒化钽晶体（99.995%） | 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide) |
| 二硒化锡晶体（99.995%） | SnSe2 (Tin Selenide) |
| 二硒化铼晶体（99.995%） | ReSe2(Rhenium Selenide) |
| 二硒化铂晶体（99.995%） | PtSe2 (Platinum Selenide) |
| 二硒化铌晶体（99.995%） | 2H-NbSe2(Niobium Selenide) |
| 硒化钨钼晶体（99.995%） | MoWSe2(Molybdenum Tungsten Diselenide) |
| 硫硒化钼晶体（99.995%） | MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) |
| 二硒化钼晶体（99.995%） | 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-P型 |
| 硒化铟晶体（99.995%） | In2Se3(Indium Selenide) |
| 二硒化铪晶体（99.995%） | HfSe2(Hafnium Selenide) |
| 硒化锗晶体（99.995%） | GeSe (Germanium Selenide) |
| 硒化镓晶体（99.995%） | 2H-GaSe(Gallium Selenide) |
| 硒化铋晶体（99.995%） | Bi2Se3(Bismuth Selenide) |
| 二硒化铪晶体（99.995%） | HfSe2(Hafnium Selenide) |
温馨提示：西安齐岳生物供应产品用于科研，不能用于人体
yyp2021.6.24
SiO2/Si外延薄膜
