钛酸钡（BaTiO3）光电晶体-,钛酸钡（BaTiO3）西安齐岳生物科技有限公司手机版

详细介绍

钛酸钡（BaTiO3）光电晶体

钛酸钡（BaTiO3）单晶具有的光变性能，具有高的自泵浦相位共轭反射率和二波混频（光放大）效率，在光信息存储方面有的潜在应用前景；同时它也是重要的衬底基片材料。

主要性能参数

钛酸钡（BaTiO₃）单晶具有的压电性能，具有高的自泵浦相位共轭反射率和二波混频（光放大）效率，在光信息存储方面有的潜在应用前景；同时它也是重要的衬底基片材料。

主要性能参数
晶体结构	四方Tetragona(4m): 13°C < T <132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C)
密度	6.02（g/cm³）
熔点	1612℃
生长方法	TSSG (Top Seeded Solution Growth) 顶部籽晶法
介电常数	ea=3700 ec=135(自由状态)
	ea=2400 ec=60 (加持状态)
射率		515nm		633nm		800nm
	n_o	2.4912		2.4160		2.3681
	n_o	2.4247		2.3630		2.3235
透过波长范围	0.43-6.30mm
光电系数	r1^T3=8±2pm/V rT33=105±10pm/V rT42=1300±100pm/V
自泵浦相位共轭反射率（0度切）	50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO₃)
	40 - 60 % (PureBaTiO₃) for l = 515nm
	50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO₃)
	40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO₃)
二波混频耦合系数	10^-40 cm^-1
吸收损失	l: 515nm		633nm		800nm
	a: 0.285cm^-1		0.108cm^-1		0.033cm^-1
晶向	<100>、<001>、<110>、<111>±0.5º
尺寸（mm）	10×10×1/0.5mm、10×5×1/0.5mm、5×5×1/0.5mm 可按照客户需求，定制方向和尺寸的衬底
抛光	单面或双面
表面粗糙度	Surface roughness(Ra):<=10 A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告

供应产品目录：

Bi4Te1.5S1.5 硫化碲铋晶体	(Bismuth Tellur
Bi2S3 硫化铋晶体 (Bismuth Sulfide)	(Bismuth Sulfide)
As2S3 硫化砷晶体	As2S3 crystals
硫磷化铜（铟掺杂）晶体（99.995%） CuInP2S6	CuInP2S6 crystals
三硫化镍（磷掺杂）晶体（99.995%） NiPS3	NiPS3 crystals
三硫化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPS3	MnPS3 crystals
三硫化铁（磷掺杂）晶体（99.995%） FePS3	FePS3 crystals
三硫化铌晶体（99.995%） NbS3	NbS3 crystals
二硫化铌晶体 NbS2	(2H-Niobium Disulfide)
硫化铋 Bi2S3	(Bismuth Sulfide)
二硫化钼晶体（合成/2H）	MoS₂(Molybdenum Disulfide)-syn
硫盐矿物晶体（99.995%）	Pb3Sn4FeSb2S14(Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide)
二硫化钼铼晶体 MoReS₂	(Molybdenum Rhenium Disulfide)
二硫化钨晶体（99.995%）	2H-WS2(Tungsten Disulfide)
二硫化钛晶体（99.995%）	TiS2(Tantalum Sulfide)
二硫化钽晶体(2H/99.995%)	TaS2(Tantalum Sulfide) -2H
二硫化钽晶体(1T/99.995%)	TaS2(Tantalum Sulfide) -1T
二硫化锡晶体（99.995%）	2H-SnS2(Tin Sulfide)
二硫化铼晶体（99.995%）	ReS2 (Rhenium Disulfide)
二硫化铅锡晶体（99.995%）	PbSnS2(Lead Tin Disulfide)
二硫化铌晶体（99.995%）	3R-NbS2(Niobium Disulfide)

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yyp2021.6.24

钛酸钡（BaTiO3）光电晶体