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铌酸锂(LiNbO3)光电晶体
铌酸锂晶体应用于光通信、信息处理、集成光路、图象存储、谐波发生、倍频器件、参量振荡、1064nm激光的倍频，以及四倍频相位匹配装置等方面。如：SAW滤波器、Q-开关、电光调光器、参量振荡器 ,掺有Mg:O的LN晶体，其抗损阈值比纯LN晶体了一倍以上
主要性能参数 | |||
生长方法 | 提拉法 | ||
晶体结构 | 三方 | ||
晶格常数 | a=b=5.148Å c=13.863 Å | ||
熔点（℃） | 1250 | ||
居里温度 | 1140℃ | ||
密度（g/cm3） | 4.64 | ||
硬度 | 5（mohs） | ||
光谱透过波长 | 0.4-2.9um | ||
射率 | no=2.286 ne=2.203 （632.8nm） | ||
非线性系数 | d22 = 2.1 d31 = - 4.5 d33 = -0.27 （pmv-1） | ||
电光系数 | γ13=8.6，γ22=3.4，γ33=30.8，γ51=28.0，（pmv-1） | ||
光学损坏阈 | 250 MW/cm2 @ 1064 nm, t ~ 10nsec. | ||
光谱透过范围 透过率 | 370～5000nm >68% （632.8nm） | ||
热膨胀系数 | a11=15.4×10-6/k，a33=7.5×10-6/k | ||
吸收损耗 | @ 1064 nm < 0.1 %/cm | ||
产品规格 | |||
尺寸 | 等于或小于Ø4″ | 表面质量 | 10/5 |
尺寸公差 | Z轴： ±0.3mm | 平 面 度 | v8 （632.8nm） |
倒 角 | 小于0.5mm，45 º±5 º | 镀 膜 | R<0.2%（1064nm） |
晶向精度 | Z轴： 5′ | 波前畸变 | <N4（633nm） |
平 行 度 | <10′ | 消 光 比 | >400:1(633nm)φ6mm光束 |
供应产品目录：
| TlGaS2 硫化镓晶体 | TlGaS2 crystals |
| GeS 硫化锗晶体 | (Germanium Sulphide) |
| p-type WS2 crystals P型二硫化钨晶体 | p-type WS2 crystals |
| GaS 硫化镓晶体 | (Gallium Sulfide) |
| HfS2 二硫化铪晶体 | (Hafnium Disulfide) |
| WS2 二硫化钨晶体 | (Tungsten Disulfide) |
| ReS2 二硫化铼晶体 | (Rhenium Disulfide) |
| TiS2 二硫化钛晶体 | (Titanium Disulfide) |
| Molybdenum Disulfide (MoS2) 小尺寸二硫化钼晶体 10x10mm | Molybdenum Disulfide (MoS2) |
| n-type WS2 crystals N型二硫化钨晶体 | n-type WS2 crystals |
| NiPS3 crystals 三硫化磷镍晶体 | NiPS3 crystals |
| In2S3 crystals 三硫化二铟晶体 | In2S3 crystals |
| ZrSiS crystals 硫化硅锆晶体 | ZrSiS crystals |
| TiS3 三硫化钛晶体 | TiS3 crystals |
| NbS2 二硫化铌晶体 (Niobium Disulfide) | (Niobium Disulfide) |
| p-type MoS2 crystals P型二硫化钼晶体 | p-type MoS2 crystals |
| ZrS2 二硫化锆晶体 (Zirconium Disulfide) | (Zirconium Disulfide) |
| n-type MoS2 crystals N型二硫化钼晶体 | n-type MoS2 crystals |
| Rare: Naturally Occurring Tungsten Disulfide (WS2) 晶体：二硫化钨晶体 | |
| MoS2 大尺寸二硫化钼晶体 | (Molybdenum Disulfide) - Medium 15x10mm |
| MoS2 大尺寸二硫化钼晶体 | (Molybdenum Disulfide) - Large 15x20mm |
温馨提示：西安齐岳生物供应产品用于科研，不能用于人体
yyp2021.6.24
铌酸锂(LiNbO3)光电晶体
