K4B2G1646F 三星FLASH存储IC  DDR3缓存芯片

K4B2G1646F-BCMAK4B2G1646F 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

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2021-01-21 10:59:33
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产品简介

K4B2G1646F 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
制造商IC编号K4B2G1646F-BCMA
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR3 SDRAM
IC代码128MX16 DDR3
脚位/封装FBGA-96
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.5 V
温度规格Commercial (0°C – 95°C)
速度DDR3-1866(13-13

详细介绍

K4B2G1646F 三星FLASH存储IC  DDR3缓存芯片

制造商IC编号 K4B2G1646F-BCMA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 128MX16 DDR3
脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 Commercial (0°C – 95°C)
速度 DDR3-1866(13-13-13)4
标准包装数量 1120
标准外箱 *
数量 20000
Number Of Words 128M
Density 2G
Power Normal Power
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation

 

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