公司简介：

德国BERTHOLD公司成立于1949年，是密度、物位、湿度以及流量等非接触监测和参量处理领域和在线过程分析的专家，提供基于光或核射线等技术的热幅光源、防护设备、检测器和电子设备。德国BERTHOLD公司是第八家获得ISO9001认证的德国企业，近六十年的丰富经验和不断创新的技术使德国BERTHOLD微孔板荧光仪公司成为此领域内客户shou选的合作伙伴。经过50多年的努力，德国BERTHOLD已经成为世界的发光检测分析仪生产商，公司1989已通过了ISO 9001质量管理体系认证，从而确保了所有BERTHOLD微孔板荧光仪在性能上的高标准，公司分支机构和代表处分布在世界各地。

主要产品：

Berthold管式和微孔板发光仪， Berthold多功能微孔板测读仪， Berthold微孔板荧光仪， Berthold酶标仪， Berthold活体影像系统

特点:

Berthold技术作为的微孔板荧光仪技术产品的特点是具有高测量性能和可靠性。

Berthold的密度测量系统分为*非接触式和非侵入性的。测量可以在所有的液体和散装材料进行，包括高酸，碱或盐溶液和悬浮液。

Berthold所有的密度计提供免维护操作，可以很容易地安装在现有的管道的过程中。该测量系统适用于所有的管道从25到1000mm。

测量原理

基于辐射原理，Berthold的密度计，可以在zui苛刻和敌对的工艺条件下操作。

此外，Berthold被用来监测气动输送或自由下落的物料质量流量。他们很容易安装在现有一个可靠和免维护操作的系统中。

供应德国Berthold LB6411便携式中子检测仪/探头  产品介绍：

仪器具有相当高的灵敏度，每nSv约3个计数，非常适合在很弱的中子辐射场中进行测量。可以作为便携式剂量仪，也可以用作固定式剂量监测仪。单能中子注量响应实验在德国布朗施维格物理研究所进行。

供应德国Berthold LB6411便携式中子检测仪/探头  产品特点：

德国Berthold LB6411中子探头具有*的灵敏度，非常适于在很弱的中子辐射场中测量。

ICRP的第60号出版物推荐使用新的辐射量单位，伯托公司联合卡尔斯鲁厄公司共同研制了中子剂量率 仪LB6411。系统探头采用获得的He-3正比计数管，计数管置于直径 250mm的慢化球中心，计数管的几何位置是根据蒙卡模拟程序（MCNP）计算的结果，并获得了。

 产品参数：

显示屏：高对比度液晶点阵显示，分辨 率32 x 84 像素 ；背景灯照明（可关闭），4位数字显示测量结果，自动扩展量程
操作：5个键，1个开关键，4个软键
探头连接：8zhen孔接线插座 Fischer 04, 螺旋式电缆LB 75576（标准）
数据输出（可选）：FSMA连接器, 通过波束波导和带D 25连接器波束波导接口 LB 75306
温度范围：-15°C - 50°C
尺寸：145 mm (高) x 170 mm (宽) x 45 mm (深)
重量：约0. 8kg （含电池）
电源：3节IEC-R14 或 3 节可充电电池Varta NiCd #5014
电池寿命：使用R14 >150 小时

LB6411中子探头技术参数：

测量量：中子周围剂量当量H*(10)

量程：30 nSv/h ~ 100 mSv/h

中子能量范围：热中子 ~ 20 MeV

刻度源：Cf-252裸中子源

注量响应：1.09 cm2

周围剂量当量响应：

每µSv 2.83 个计数

 每µSv/h 0.79个计数

刻度因子：1.27 µSv/h / cps

响应函数：注量及能量响应函数在一起说明书中可以查询。

能量相关性：50 keV ~ 10 MeV之间为± 30%

γ灵敏度： 读数小于40 µSv/h（10mSv/h 137-Cs γ 场中）

温度范围：-10°C ~ 50°C

慢化球直径：250 mm

号：

德国号：

量子点红外探测器 编辑
量子点红外探测器（QDIP）在红外探测领域具有十分广阔的应用前景,同时由于QDIP的有效载流子寿命长、暗电流低、工作温度高、对垂直入射光响应等优势,近年来高性能QDIP已经成为研究的热点。
中文名 量子点红外探测器 类    别 仪器 类    型 红外探测器 对    象 量子点
目录
1 量子点材料生长
2 QDIP 的主要结构
▪ 简单InAs(InGaAs)/GaAs 结构
▪ 引入AlGaAs 电流阻挡层结构
▪ 引入InGaAs 应力缓解层结构
▪ Dots-in-a-well (DWELL) 结构
▪ InAs/InGaP 结构
3 QDIP 的测试
量子点材料生长编辑
量子点结构的生长技术是QDIP研究的基础。低维半导体结构的发展很大程度上依赖于材料先进生长技术（分子束外延技术、金属有机化合物化学气相沉积技术等）和精细加工工艺（聚焦电子、离子束和X射线光刻技术等）的进步。上个世纪90年代，人们开发了无损伤的低维半导体材料的制备方法，就是利用不同材料的晶格失配而产生的应力，通过Stranski-Krastanow(S-K)生长模式来获得无缺陷、无位错和尺寸均匀的量子点，即所谓的自组织生长量子点的方法。这为制备满足器件要求的量子结构带来了希望。随着科学技术的发展，人们又提出了很多新的制备方法。其中包括：（a）在部分掩膜衬底上原位生长量子点（由于掩膜受光刻精度的限制，所以降低了人们对此工艺的兴趣）；（b）采用偏向衬底或高指数面衬底，一定晶向的衬底提供的横向周期性将会影响吸附原子的生长动力学过程从而导致不同的应力弛豫机制；高指数面的表面再构可使量子点的空间分布有序化。这两种方法的难点是器件后期工艺要求特殊控制。（c）应力缓冲层法，先在衬底上生长适当厚度的应力缓冲层后，再生长量子点。由于应力缓冲层的引入改变了应力场的分布，使量子点形成于富In区或凸起点的上方。从外延生长的角度来分，共有三种生长模式：层状生长，即FM模式；岛状生长，即VM模式；层状加岛状生长，即S-K模式。不同的生长模式主要由表面能、界面能和晶格失配度的大小确定的。（1）若失配度较小且外延层表面能和界面能之和小于衬底的表面能，则外延生长为层状的FM模式；（2）若失配度较大且外延层的表面能与界面能之和大于衬底的表面能，则外延生长为岛状的VW模式；（3）当外延层的表面能与界面能之和，在开始时小于衬底的表面能，则外延层初始为2D层状生长（浸润层），随着浸润层厚度的增加，体系的应变能也在增加，当浸润层厚度达到一临界值时，则由平面生长转变为岛状生长，即形成量子点。这时，应变发生弛豫，应变能减小，表面能增加，总能量减小，这就是S-K生长模式。所以说量子点的形成是应变能弛豫的一种方式，用这种方法可以获得无位错、尺寸较均匀的量子点，即所谓的自组织量子点。
QDIP 的主要结构编辑
简单InAs(InGaAs)/GaAs 结构
InAs(InGaAs)/GaAs 结构是QDIP 研究初期常见的一种结构，它的特点是结构简单，生长操作容易，理论基础丰富，经常用于QDIP 理论的实验论证。缺点是受带隙的影响，探测率很难得到继续提高。目前，这一结构的
QDIP 的探测率不超过1010 cmHz1/2W-1，探测波长一般在4~13 μm 范围内。
引入AlGaAs 电流阻挡层结构
引入AlGaAs 暗电流阻挡层结构是InAs(InGaAs)/GaAs 结构的改进型，它的理论基础是AlGaAs 阻挡层对暗电流的阻挡效果大于对光电流的阻挡效果。如果设计得当，AlGaAs 阻挡层确实可以起到减小暗电流同时对光电流也影响不大的效果，但是由于暗电流和光电流具有相同的电子跃迁通道，所以一般情况下是很难使两种效果同时达到的。
引入InGaAs 应力缓解层结构
引入InGaAs 应力缓解层结构主要研究单位是南加州大学。引入InGaAs 应力缓解层有两个好处，一方面，引入InGaAs 应力缓解层可以有效减小量子点和隔离层的内部应力，减少了缺陷，提高了晶体质量，从而可以增加光电响应；另一方面，在量子点上面覆盖一层InGaAs 等于是在量子点的一侧插入一个量子阱，该量子阱不但可以降低量子点内激发态的能量，从而降InAs 低暗电流，而且还可以为电子提供量子阱内的电子能级，电子可以从量子点内的能级先跃迁到量子阱内，然后隧穿出隔离层形成光电流。
Dots-in-a-well (DWELL) 结构
DWELL 结构的主要研究单位为美国新墨西哥大学。DWELL 结构红外探测器是目前研究的比较有前景的一类。DWELL 结构两个优点：一是通过引入量子阱可以降低量子点内电子的能级，从而降低暗电流，二是通过改变量子阱的宽度和量子点在量子阱内的不对称性可以方便地调节响应波长。本文在这些研究基础上进一步研究了该结构的器件性能和理论模拟方法。
InAs/InGaP 结构
InAs/InGaP 结构的主要研究单位为美国西北大学。InAs/InGaP 结构QDIP 目前具有QDIP 中的zui高探测率，而且也实现了FPA的红外成像。由于InAs 和InGaP 具有较大的导带差，所以电子从量子点内的束缚态跃迁到隔离层的连续态需要很大的能量，所以该类型探测器具有近红外和中红外的探测波长，同时热激发电子导致的暗电流也很小，这造成了该探测器具有高的近、中红外探测率。
QDIP 的测试编辑
光致发光谱或光荧光（PL）是研究QDIP的基础手段之一。在说明PL测试之前，先需要说明傅立叶光谱仪的测试原理。迈克尔逊干涉仪是现代傅里叶变换光谱仪的核心部件，它是一种振幅分割的双光束干涉系统，如图2.4所示，具有以下特点：两光束的光程差易于改变；光路中使用分光板，入射光的一半经固定镜，另一半经运动镜反射；环状干涉条纹一直延伸到无穷远处；等厚干涉条纹则是由于两个镜子间的光学联xi引起的，在调节仪器时必须注意到这两种干涉条纹。根据迈克尔逊干涉仪运动镜的移动（即光程差），我们就可获得干涉图，然后经傅立叶变换，就得到了我们所看到的光谱分布。同时，我们还可以看到得到的光谱分还只与光的调制部分有关，与不发生调制的部分无关。半导体量子点的发光主要是指辐射复合光发射，它是除热平衡的黑体辐射以外的第部分光辐射，是光吸收过程的逆效应。光吸收（或称光激发）导致的光发射常称为光致发光或光荧光（PL），其测量原理是：当激发光源发出hv > Eg 的光照射到被测样品表面时，由于激发光在材料中的吸收系数很大（通常大于104 cm-1），通过本征吸收，在材料表面约1 μm以内的区域里激发产生大量的电子－空穴对，使样品处于非平衡态。这些非平衡载流子一边向体内扩散，一边发生复合。通过扩散，发光区将扩
展到深入体内约一个少子扩散长度的距离。电子－空穴对通过不同的复合机构进行复合，其中的辐射复合就发出叠加在热平衡辐射上的光发射，称为荧光。荧光在逸出表面之前会受到样品本身的自吸收。荧光逸出表面之后，会聚进入单色仪分光，此后经探测器接收转变成电信号并进行放大和记录，从而得到发光强度按光子能量分布的曲线，即光致发光谱。

BERTHOLD-0079

LB491

BERTHOLD-0080

LB4441-02 量程：0-2.0G/CM3 带

BERTHOLD-0081

LB444  量程：1.0-2.0g/Cm3 输出

BERTHOLD-0082

LB3940,CPU15(CONCAST)

BERTHOLD-0083

LB4405-06-0X-GD-E

BERTHOLD-0084

LB4401-03-OR-GD-E50/50

BERTHOLD-0085

LB-440-01(M)

BERTHOLD-0086

LB6639-1 76100140600168

BERTHOLD-0087

LB6650-1 72015892950302

BERTHOLD-0088

LT-15005

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LT-17023

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LT-17017

BERTHOLD-0091

LT-15001

BERTHOLD-0092

LB352-2 ID:81072-7

BERTHOLD-0093

LB6651 ID:39770 DA-600 13212

BERTHOLD-0094

LB3998-1  230V

BERTHOLD-0095

ID:39820 EXTENSION CABLE 10M

BERTHOLD-0096

LB3940 FOR CPU LB352

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安装机架 caninet for 2 modules

BERTHOLD-0098

料位开关主机板 LB4710-180

BERTHOLD-0099

母板及电源(220VAC)机箱

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探测器 LB5441-03

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LB5441 探测器安装附件

BERTHOLD-0102

LB442-01  40443-01

BERTHOLD-0103

LB442-11 230-250V 40443-11

BERTHOLD-0104

LB4460 30366

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L1700MM D1800MM CO/CS ST37+

BERTHOLD-0106

34268

BERTHOLD-0107

CO-60 370MBQ（10MCI） 1600MM+

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64687.1A/59657.3-1060

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FB12

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LB323主机-50/50检测器

BERTHOLD-0111

LB491(HART)304SS

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LB352-281072-1

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LB440-12

BERTHOLD-0114

LB491-FM Bj.03 ID-38478-120

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LB4405-6W

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LB6639W-CSJ-40*50

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LB 491(HART) 303SS

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LB 491 24V

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LB 491

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CS137

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LB5441-02-0A 40/35  探测器

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NO:30366 配:LB5441-02上用

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81072-1/LB352-2

BERTHOLD-0125

LB6639-CSI-40X50 ID:34630-09

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LB350-2

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包括主机一台 81067-7

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中子源 部件号：12590

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部件号33649-11

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安装板 部件号37661

BERTHOLD-0131

手册 部件号81066BA2

德国BERTHOLD 40435-02

德国BERTHOLD 40435-02