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| N沟道增强型MOSFET TDM3439 |
N通道MOS管TDM3439描述 |
| TDM3439采用的沟槽技术 |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个 |
| 器件适合用作负载开关或PWM |
| 应用。 |
| 一般特征 |
| lRDS（ON）<8.7mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS = 10V |
| l高功率和电流处理能力 |
| l提供无铅产品 |
| l表面贴装封装 |
| 应用 |
| lPWM应用 |
| l负载开关 |
| l电源管理 |
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TDM3439:DNF5*6-8
品牌:TI/德州仪器
封装形式:SMD
型号:TDM3439
批号:18+
| N沟道增强型MOSFET TDM3439 | |
| 描述 | 一般特征 |
| TDM3439采用的沟槽技术 | RDS（ON）<8.7mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个 | RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS = 10V |
| 器件适合用作负载开关或PWM | 高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | 提供无铅产品 |
| 封装DNF5*6-8 | 表面贴装封装 |
| 应用范围：PWM应用、负载开关、电源管理 |
