惠新晨电子专业中低压MOS管行业10年，经验丰富，实力雄厚可以做月结30天，惠新晨电子是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商

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深圳市惠新晨电子有限公司专业从事20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售

型号:HC080N10L ,丝印：17N10，参数：17A100V ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR，低结电容525pF，  封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低结电容，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC080N10L可用于加湿器、雾化器、香薰机、LED驱动电源、马达驱动电机、POE交换机电源等产品，性价比高

HC080N10L HC160N10L目前在雾化器、香薰机、加湿器控制板市场月出货量均达到5KK以上，性能非常好、成熟稳定

100V15A低压MOS管 加湿器场效应管15N10

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100V  60V系列N沟道主营型号：

HC080N10L 100V17A  N沟道 内阻70mR,  TO-252、SOP-8、DFN3*3、TO-220，低内阻，结电容小，低开启电压

HC160N10L  100V10A  N沟道 内阻140mR,  TO-252、SOP-8、DFN3*3、TO-220，低内阻，结电容小，低开启电压

惠新晨电子100V耐压MOS管HC080N10L HC160N10L广泛应用于雾化器、加湿器、香薰机控制驱动板子，内阻低，结电容小，开关损耗低，转换效率高，温升低

Mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管。或者称是金属—缘体（insulator）—半导体。MOS管的源（source）和漏（drain）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

当MOS电容的栅（Gate）相对于衬底（BACKGATE）正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道（channel）。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。所以MOS是电压控制型器件。

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