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产品型号:HC021N10L参数:100V35A ,类型:N沟道场效应管,内阻22mR,低结电容1880pF 封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
100V35A场效应管 内阻22mR 低压MOS管
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HC012N10L优势替代HY1310D,替代HY1210D,替代CJU30N10
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
使用优势
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双型器件。
有些场效应管的源和漏可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。