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我们的优势：*，价格优势，货源充足，*

产品型号：HC021N10L参数：100V35A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，低结电容1880pF  封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

大电流100V结MOS管 替代ST18N10D

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HC012N10L优势替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10

深圳市惠新晨电子有限公司一直保持与国内*的晶圆厂、封装厂及测试厂合作，对产品品质精益求精，力把品质关。为客户提供的不仅仅是的产品，还有完善的解决方案和优质的服务，相信客户会成为我们的伙伴并一起取得巨大的商业成功。本公司常年备有大量的现货库存，并接受订货服务。
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