电源驱动60V场效应管 N沟道60V7A贴片MOS管
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HC706电源驱动60V场效应管 N沟道60V7A贴片MOS管

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2020-02-27 16:50:25
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产品简介

电源驱动60V场效应管 N沟道60V7A贴片MOS管
低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

详细介绍

 

型号:HC706参数:60V7A ,类型:N沟道场效应管,内阻70mR, 结电容435pF, 封装:贴片(SOP-8),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

 

HC706采用SGT工艺,属于结MOS管,性能比沟槽工艺/平面工艺的MOS管好、温升低,低结电容,低内阻,高性能,高性价比,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强,低温升

电源驱动60V场效应管 N沟道60V7A贴片MOS管

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HC706用途广泛可用于雾化器、香薰机、加湿器、LED电源、各种马达驱动电机,水磊控制器、于汽车大灯驱动电源,节日灯、圣诞灯、电动牙刷、锂电池保护板、数码产品、马达驱动电机,LED电源,LED汽车大灯电源,LED景观灯电源、LED舞台灯电源、LED车灯电源,LED舞台灯驱动电源,LED舞台灯控制板,LED景观照明驱动电源,LED灯驱动电源,雾化器,香薰机,加湿器、安防电源等产品

 

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场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影一个电场在一个缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个缘体,所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE下的缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管小省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双型晶体管。

【场效应管的作用】
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。

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