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HC037N06L低功耗低内阻60V30A场效应管
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型号:HC706参数:60V7A ,类型:N沟道场效应管,内阻70mR, 结电容435pF, 封装:贴片(SOP-8),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强
HC706采用SGT工艺,属于结MOS管,性能比沟槽工艺/平面工艺的MOS管好、温升低,低结电容,低内阻,高性能,高性价比,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强,低温升
HC706广泛应用于LED驱动电源、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板等产品,高性价比
MOS管驱动
跟双性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时*要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是,普遍用于驱动的NMOS,导通时需要是栅电压大于源电压。而驱动的MOS管导通时源电压与漏电压(VCC)相同,所以这时栅电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。
MOS管应用电路
MOS管较显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。
公司库存实力展示:
型号如下:
型号:HC706 N沟道场效应管 60V7A SOP-8封装 内阻80mR
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深圳市惠新晨电子有限公司
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