深圳市惠新晨电子有限公司

型号:HC012N06L2 参数：60V50A ，类型：N沟道场效应管，内阻14mR， 低结电容1100pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压

HC012N06L2采用的SGT工艺，结MOS管，低电容  、低内阻，高性能，高性价比，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

开启电压1.5V 染色灯60V50A结MOS管

开启电压1.5V 染色灯60V50A结MOS管

     MOS管驱动

      跟双性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
      在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时*要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
   

HC012N06L2优势替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04  CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06  替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K

HC012N06L2广泛应用于LED驱动电源、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板等产品，高性价比

在客户正式量产订货前公司可免费提供样品测试

工厂规模：

可靠性测试及品质把控：





封装及测试流程：
 

公司库存实力展示：

多型号如下：

型号：HC012N06L2  N沟道场效应管    60V50A 50N06  TO-252封装     内阻14毫欧  结MOS管SGT工艺

型号：HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装，   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等

  深圳市惠新晨电子一直致力于建设优良的芯片设计队伍、优良的产品应用队伍、优良的销售队伍，保持产品的不断创新，力争为客户带来大有竞争力的产品。为创造一个绿地球而努力，为今天为明天，惠新晨与你一起努力！

HC012N06L2优势替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04  CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06  替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K

HC012N06L2广泛应用于LED驱动电源、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板等产品，高性价比

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