产品型号：HC021N10L参数：100V3 ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，低结电容1880pF  封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC012N10L优势替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10

封装厂规模图：

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